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기판, 상기 기판상에 형성되는 질화실리콘층 패턴, 및 상기 질화실리콘층 패턴을 따라 형성된 자기조립단층막을 포함하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프
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제 1 항에 있어서, 상기 자기조립단층막은 반접착성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프
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제 1 항에 있어서, 상기 자기조립단층막은 사일린(silane)을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 쿼츠, 실리카 기판, 및 글라스 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프
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기판에 질화실리콘층을 증착하는 단계,상기 질화실리콘층에 식각 마스크를 형성하는 단계, 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 질화실리콘층을 식각하는 단계, 상기 식각 마스크를 제거하여 질화실리콘층 패턴을 형성하는 단계, 상기 질화실리콘층 패턴에 자기조립단층막(Self Assembled Monolayer; SAM)을 형성하는 단계를 포함하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법
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제 6 항에 있어서상기 식각 마스크는 크롬을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 질화실리콘층을 식각하는 단계는 상기 질화실리콘층을 CF4 가스를 이용하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 질화실리콘층을 식각하는 단계는 상기 질화실리콘층을 활성이온식각 방식(Reactive Ion Etching, RIE) 및 유도결합플라즈마 방식(Inductively Coupled Plasma, ICP)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 CF4 가스를 이용하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법
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제 6항에 있어서, 상기 질화실리콘층에 식각 마스크를 형성하는 단계는상기 질화실리콘층에 크롬층과 감광층을 형성하는 단계, 상기 감광층을 전자 빔 리쏘그라피 방식을 이용하여 조사하고 식각하여 감광층 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 감광층 패턴을 마스크로 하고 Cl2 가스를 이용하여 상기 크롬층을 건식 식각하여 상기 크롬층을 포함하는 식각 마스크를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 질화실리콘층 패턴에 자기조립단층막을 형성하는 단계는 상기 질화실리콘층 패턴에 사일린을 포함하는 자기조립단층막을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법
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