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광전 전송 배선판, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 광전전송 방법

  • 기술번호 : KST2015081418
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광전(光電) 전송 금속선과 유전체층을 포함하는 광전 전송 배선판(Printed Circuit Board; PCB)을 이용한 광전 전송 방법, 광전 전송 배선판, 및 이의 제조 방법을 포함한다. 상세하게, 상기 전송 방법은 5 내지 200 ㎚의 두께, 및 2 내지 100 ㎛의 폭을 갖는 적어도 한 개의 금속선과 상기 금속선과 접하는 유전체층을 포함하는 광전 전송 배선판에 광(光)과 전기(電氣)를 주입한다. 주입된 상기 광은 상기 금속선과 상기 유전체층의 계면을 통해 전달하고, 상기 금속선을 통해 전기를 전송한다. 금속선, 유전체층, 광전 전송 배선판, 표면 플라즈몬 폴라리톤
Int. CL H05K 3/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060016664 (2006.02.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0809396-0000 (2008.02.26)
공개번호/일자 10-2007-0083376 (2007.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20080305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.21)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명현 대한민국 대전 유성구
2 박선택 대한민국 대전 서구
3 주정진 대한민국 대전 서구
4 김민수 대한민국 대전 유성구
5 박승구 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0125795-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0073761-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0058185-11
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0232823-23
6 의견서
Written Opinion		 2007.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0232822-88
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0399110-51
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0688930-27
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0688932-18
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0058719-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
5 내지 200 ㎚의 두께, 및 2 내지 100 ㎛의 폭을 갖는 광전 전송 금속선 및 상기 광전 전송 금속선과 접하는 유전체층을 포함하는 광전(光電) 전송 배선판의 광전 전송 방법에 있어서, 상기 광전 전송 배선판에 광(光)과 전기(電氣)를 주입하는 단계, 상기 광전 전송 금속선과 상기 유전체층의 계면을 통해 상기 광을 전달하는 단계, 상기 광전 전송 금속선을 통해 상기 전기를 전달하는 단계, 및 상기 광과 전기를 상기 광전 전송 배선판으로부터 방출하는 단계를 포함하는 광전 전송 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 광과 전기를 상기 광전 전송 배선판을 통해 동시에 전달하는 것을 특징으로 하는 광전 전송 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 유전체층은 불소 치환된 폴리 아릴렌 에테르(FPAE)인 것을 특징으로 하는 광전 전송 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 광전 전송 금속선은 ⅠB족 원소들 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 전송 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 광전 전송 배선판은 상기 유전체층에 형성된 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 전송 방법
9 9
5 내지 200 ㎚의 두께, 및 2 내지 100 ㎛의 폭을 갖는 적어도 한 개의 광전 전송 금속선, 및 상기 광전 전송 금속선에 접하는 유전체층을 포함하는 광전 전송 배선판
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 유전체층은 불소 치환된 폴리 아릴렌 에테르(FPAE)인 것을 특징으로 하는 광전 전송 배선판
11 11
삭제
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 광전 전송 금속선은 ⅠB족 원소들 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 전송 배선판
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 광전 전송 배선판은 상기 유전체층에 형성된 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 전송 배선판
14 14
5 내지 200 ㎚의 두께, 및 2 내지 100 ㎛의 폭을 갖는 광 전송 금속선,상기 광 전송 금속선보다 두껍고 전기를 전송하는 전기 전송 금속선, 및 상기 광 전송 금속선과 접하는 유전체층을 포함하는 광전 전송 배선판
15 15
삭제
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 전기 전송 금속선은 두께와 폭이 각각 100 ㎚ 내지 5 ㎜ 인 것을 특징으로 하는 광전 전송 배선판
17 17
기판에 하부 유전체층을 형성하는 단계, 상기 하부 유전체층에 접하여 5 내지 200 ㎚의 두께, 및 2 내지 100 ㎛의 폭을 갖는 적어도 한 개의 광전 전송 금속선을 형성하는 단계, 및 상기 광전 전송 금속선에 접하여 상부 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 광전 전송 배선판의 제조 방법
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 전송 배선판의 제조 방법
19 19
삭제
20 20
기판에 하부 유전체층을 형성하는 단계, 상기 하부 유전체층에 접하여 5 내지 200 ㎚의 두께, 및 2 내지 100 ㎛의 폭을 갖는 광 전송 금속선을 형성하는 단계, 상기 광 전송 금속선에 접하여 상부 유전체층을 형성하는 단계, 및 상기 하부 유전체층에 상에, 상기 광 전송 금속선보다 더 두껍게 전기 전송 금속선을 형성하는 단계를 포함하는 광전 전송 배선판의 제조 방법
21 21
기판에 하부 유전체층을 형성하는 단계, 상기 하부 유전체층에 접하여 5 내지 200 ㎚의 두께, 및 2 내지 100 ㎛의 폭을 갖는 광 전송 금속선을 형성하는 단계, 상기 광 전송 금속선에 접하여 상부 유전체층을 형성하는 단계, 및 상기 상부 유전체층에 상에, 상기 광 전송 금속선보다 더 두껍게 전기 전송 금속선을 형성하는 단계를 포함하는 광전 전송 배선판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07657144 US 미국 FAMILY
2 US20070196067 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007196067 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7657144 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.