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바이폴라 광트랜지스터의 제조방법에 있어서,실리콘 기판상에 상기 실리콘 기판의 농도보다 낮은 농도의 에피층을 형성하는 단계;상기 에피층 상에 불순물이 주입된 격자 형태의 베이스를 형성하는 단계;상기 베이스 상에 에미터를 형성하는 단계;상기 에미터가 형성된 상기 실리콘 기판상에 반 반사막을 증착하는 단계;상기 에미터와 접촉하도록 상기 반반사막 상에 에미터 전극을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 기판 하면에 금속을 증착하여 콜렉터 전극을 형성하는 단계를 포함하는 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스를 형성하는 단계는 상기 베이스를 형성하기 위해 감광막 상에 격자형태의 베이스 형상을 정의하는 단계와, 상기 정의된 격자 형태 중 일부 영역에 상기 불순물을 이온 주입하는 단계와, 상기 불순물이 주입된 다음, 상기 감광막을 제거하는 단계와, 상기 감광막이 제거된 다음 열처리하는 단계를 포함하는 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 격자형태의 베이스는 불순물이 주입되는 주입영역과 불순물이 주입되지 않는 미주입영역을 포함하는 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 반 반사막을 형성하기 전에, 상기 기판상에 형성된 상기 에피층의 가장자리를 따라 차단층을 형성하는 단계를 더 포함하는 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 차단층은 상기 에미터의 형성과 동시에 형성 가능한 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 에미터를 형성하는 단계는 에미터 불순물을 이온 주입하는 단계와, 상기 이온 주입된 상기 에미터를 열처리하는 단계를 포함하는 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 차단층에는 상기 에미터에 주입된 상기 에미터 불순물이 주입되는 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 에미터 전극을 형성하는 단계는 상기 에미터 상부에 베리어 금속층을 형성하는 단계와, 상기 베리어 금속층 상에 배선용 금속층을 형성하는 단계와, 상기 배선용 금속층과 상기 베리어 금속층을 식각하는 단계를 포함하는 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 식각 단계에서는 상기 배선용 금속층을 식각하는 플라즈마 식각 공정과, 상기 베리어 금속층을 식각하는 습식 식각공정을 이용하는 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 반반사막을 형성하기 전 또는 상기 차단층이 형성된 후에, 상기 실리콘 기판상에 상기 베이스에 주입된 불순물과 동일한 불순물을 이온 주입하는 단계를 더 포함하는 바이폴라 광트랜지스터의 제조방법
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실리콘 기판상에 형성되는 에피층;상기 에피층 상에 형성되는 격자형태의 베이스;상기 베이스 상에 형성되는 에미터;상기 에피층 상에 상기 에피층의 가장자리 둘레 방향을 따라 형성된 차단층;상기 에피층, 상기 차단층 및 상기 베이스 상에 형성되는 반반사막;상기 에미터와 접촉되도록 상기 에미터 상에 형성되는 금속전극; 및상기 실리콘 기판 하면에 형성되는 콜렉터를 포함하는 바이폴라 광트랜지스터
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제11항에 있어서,상기 격자형태의 베이스는 불순물이 주입된 주입영역과 불순물이 주입되지 않는 미주입영역을 포함하는 바이폴라 광트랜지스터
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