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파워 게이팅 회로를 구비한 반도체 집적회로 장치

  • 기술번호 : KST2015081595
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 파워 게이팅 회로와 일반 회로가 연결된 구성을 갖는 회로에서, 파워 게이팅 회로가 동작 모드에서 대기 모드로 진입시 파워 게이팅 회로의 플로우팅 상태의 출력이 일반 회로로 전달되는 것을 방지할 수 있는 반도체 집적회로 장치를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 파워 게이팅 회로부와, 상기 파워 게이팅 회로부의 출력에 응답하여 동작하는 일반 회로부와, 상기 파워 게이팅 회로부의 출력노드와 상기 일반 회로부의 입력노드 사이에 연결되어 상기 파워 게이팅 회로부의 대기모드에서 상기 출력노드가 플로팅될 때 상기 입력노드를 상기 파워 게이팅 회로부의 마지막 동작모드 출력값으로 유지시키는 출력 유지 수단을 포함하는 반도체 집적회로 장치를 제공한다. 파워 게이팅 회로, 푸터, 헤더, 플로우팅, 단락전류
Int. CL H03K 17/687 (2006.01) H03K 19/00 (2006.01)
CPC H03K 17/6872(2013.01) H03K 17/6872(2013.01) H03K 17/6872(2013.01)
출원번호/일자 1020060050591 (2006.06.05)
출원인 한국전자통신연구원, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0703720-0000 (2007.03.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.05)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형옥 대한민국 대전 유성구
2 신영수 대한민국 대전 유성구
3 김혁 대한민국 대전 유성구
4 어익수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0397226-10
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0417250-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0008335-64
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0151893-22
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
파워 게이팅 회로부;상기 파워 게이팅 회로부의 출력에 응답하여 동작하는 일반 회로부; 및상기 파워 게이팅 회로부의 출력노드와 상기 일반 회로부의 입력노드 사이에 연결되어 상기 파워 게이팅 회로부의 대기모드에서 상기 출력노드가 플로팅될 때 상기 입력노드를 상기 파워 게이팅 회로부의 마지막 동작모드 출력값으로 유지시키는 출력 유지 수단을 포함하는 반도체 집적회로 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 파워 게이팅 회로부는,복수 개의 제1 트랜지스터로 이루어진 논리회로부; 및접지전압을 상기 논리회로부의 가상접지전압원 라인으로 전달하는 스위칭부를 포함하는 반도체 집적회로 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 스위칭부는 상기 논리회로부를 구성하는 제1 트랜지스터의 문턱전압과 동일하거나 높은 문턱전압을 갖는 제2 트랜지스터로 이루어진 반도체 집적회로 장치
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 스위칭부는 제1 제어신호에 의해 제어되어 상기 파워 게이팅 회로부의 동작 모드에서 동작되고, 상기 파워 게이팅 회로부의 대기모드에서 비동작되는 반도체 집적회로 장치
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 출력 유지 수단은 상기 파워 게이팅 회로부의 마지막 동작모드 출력값이 논리 로우인 경우에만 상기 입력노드를 논리 로우로 유지시키는 래치를 포함하는 반도체 집적회로 장치
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 출력 유지 수단은,제2 제어신호에 응답하여 상기 파워 게이팅 회로부의 마지막 동작모드 출력값이 논리 로우인 경우 상기 파워 게이팅 회로부의 대기모드에서 비동작되는 전송 게이트; 및상기 입력노드가 논리 로우인 경우에만 상기 입력노드를 논리 로우로 유지시키는 래치부를 포함하는 반도체 집적회로 장치
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 래치부는, 상기 입력노드의 신호를 입력받는 인버터; 및상기 인버터의 출력에 게이팅되어 상기 입력노드와 접지전압원을 연결하는 풀-다운 트랜지스터를 포함하는 반도체 집적회로 장치
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 전송 게이트는, 상기 출력노드와 상기 입력노드 사이에 소스-드레인 경로가 접속되고 게이트단으로 상기 제어신호를 인가받는 제3 트랜지스터; 및 상기 출력노드와 상기 입력노드 사이에 소스-드레인 경로가 접속되고 게이트단으로 상기 인버터의 출력신호를 인가받는 제4 트랜지스터를 포함하는 반도체 집적회로 장치
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 대기모드에서 상기 동작모드로의 전환시 상기 제1 제어신호가 활성화되고 일정 시간 후에 상기 제2 제어신호가 활성화되는 반도체 집적회로 장치
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제3 트랜지스터는 상기 풀-다운 트랜지스터보다 큰 크기를 갖는 반도체 집적회로 장치
11 11
제 2 항에 있어서, 상기 출력 유지 수단을 구성하는 트랜지스터들은 상기 논리회로부를 구성하는 제1 트랜지스터에 비해 높은 문턱전압을 갖는 반도체 집적회로 장치
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 파워 게이팅 회로부는,복수 개의 제1 트랜지스터로 이루어진 논리회로부; 및전원전압을 상기 논리회로부의 가상전원전압원 라인으로 전달하는 스위칭부를 포함하는 반도체 집적회로 장치
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 스위칭부는 상기 논리회로부를 구성하는 제1 트랜지스터의 문턱전압과 동일하거나 높은 문턱전압을 갖는 제2 트랜지스터로 이루어진 반도체 집적회로 장치
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 스위칭부는 제1 제어신호에 의해 제어되어 상기 파워 게이팅 회로부의 동작 모드에서 동작되고, 상기 파워 게이팅 회로부의 대기모드에서 비동작되는 반도체 집적회로 장치
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 출력 유지 수단은 상기 파워 게이팅 회로부의 마지막 동작모드 출력값이 논리 하이인 경우에만 상기 입력노드를 논리 하이로 유지시키는 래치를 포함하는 반도체 집적회로 장치
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 출력 유지 수단은,제2 제어신호에 응답하여 상기 파워 게이팅 회로부의 마지막 동작모드 출력값이 논리 하이인 경우 상기 파워 게이팅 회로부의 대기모드에서 비동작되는 전송 게이트; 및상기 입력노드가 논리 하이인 경우에만 상기 입력노드를 논리 하이로 유지시키는 래치부를 포함하는 반도체 집적회로 장치
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 래치부는, 상기 입력노드의 신호를 입력받는 인버터; 및상기 인버터의 출력에 게이팅되어 상기 입력노드와 전원전압원이 소스-드레인 경로가 접속된 풀-업 트랜지스터를 포함하는 반도체 집적회로 장치
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 전송 게이트는, 상기 출력노드와 상기 입력노드 사이에 소스-드레인 경로가 접속되고 게이트단으로 상기 제2 제어신호를 인가받는 제3 트랜지스터; 및 상기 출력노드와 상기 입력노드 사이에 소스-드레인 경로가 접속되고 게이트단으로 상기 인버터의 출력신호를 인가받는 제4 트랜지스터를 포함하는 반도체 집적회로 장치
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 대기모드에서 상기 동작모드로의 전환시 상기 제1 제어신호가 활성되고 일정 시간 후에 상기 제2 제어신호가 활성화되는 반도체 집적회로 장치
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 제3 트랜지스터는 상기 풀-업 트랜지스터에 비해 큰 크기를 갖는 반도체 집적회로 장치
21 21
제 12 항에 있어서, 상기 출력 유지 수단을 구성하는 트랜지스터들은 상기 논리회로부를 구성하는 제1 트랜지스터보다 높은 문턱전압을 갖는 반도체 집적회로 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.