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a) 산화 막 층의 상부 표면을 길이 방향과 수직 방향으로 세 영역으로 구획하여, 각각 제1 내지 제3 영역으로 특정하는 단계와, b) 상기 산화 막 층의 제1 영역과 제2 영역의 상부에 제1 금속 전극 층을 형성하고, 상기 제1 금속 전극 층의 상부에 상기 산화 막 층을 포함하도록 중간 산화 막 층을 형성하는 단계와,c) 상기 산화 막 층의 제1 영역과 제3 영역의 상부에 제2 금속 전극 층을 형성하고, 상기 제2 금속 전극 층의 상부에 상기 산화 막 층을 포함하도록 중간 산화 막 층을 형성하는 단계와,d) 상기 단계(b 및 c)들을 반복적으로 수행하여 복수의 금속 전극 층 및 중간 산화 막 층을 적층하는 단계와,e) 상기 제1 영역에 형성된 상기 복수의 제1 및 제2 금속 전극 층과 중간 산화막 층을 상기 최하부의 금속 전극 층까지 관통하도록 식각하여 형성되는 채널을 복수 개 형성하는 단계와, h) 상기 형성된 채널 내부의 상기 중간 산화 막 층들을 일부 식각하여 상기 제1 및 제2 금속 전극 층 사이에 나노갭을 형성하는 단계를 포함하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 영역을 특정하는 단계는 상기 세 영역 중 중앙에 있는 영역을 제1 영역, 상기 제1 영역의 좌, 우측에 있는 영역을 각각 제2, 3 영역으로 특정하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 영역 및 제3 영역은 같은 너비를 갖도록 구획하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속 전극 층은 금(Au), 알루미늄(Al) 또는 텅스텐(W)인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속 전극 층의 두께는 20~30nm인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 중간 산화 막 층의 두께는 5~15nm 인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 중간 산화 막 층들의 두께는 각각 상이하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 중간 산화 막 층들은 SiO2, Si3N4 또는 실리콘나이트라이드인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층은 각각 5층 이상 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 채널을 형성하는 단계는 상기 제1 영역 상에 산화 막 층의 길이 방향과 평행한 복수 개의 채널이 형성될 부분과 상기 제2 및 제3 영역 상에 제1 및 제2 금속 전극이 형성될 부분을 포함하는 마스크를 준비하는 단계와,상기 마스크를 통해 상기 제1 또는 제2 금속 전극 층을 식각하는 단계와,상기 마스크를 통해 상기 중간 산화 막 층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 복수 개의 채널이 형성될 부분을 포함하는 마스크를 준비하는 단계는상기 채널의 길이를 상기 제1 영역의 길이보다 작게 특정하는 단계와,상기 채널의 너비를 1~2㎛로 특정하는 단계와,상기 채널간의 간격을 1~2㎛로 특정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속 전극 층 또는 산화막 층을 식각하는 단계는 RIE (Reactive Ion Etching), MERIE (Magnetically Enhanced RIE), ICP (Inductively Coupled Plasma), TCP (Transformer Coupled Plasma) 또는 ECR (Electron Cyclotron Resonance) 등의 건식 식각 공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속 전극 층을 식각하는 단계는 Cl2-BCl3 가스 또는 Cl2-NF3 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 금속 전극 층이 금(Au)인 경우에는 아르곤(Ar) 이온을 가속시켜 스퍼터링(sputtering)하는 식각공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 중간 산화막 층을 식각하는 단계는 CF4 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 중간 산화막 층을 식각하는 단계는 상기 제1 및 제2 금속 전극 층을 식각하는데 사용되는 공정 및 식각 가스를 동일하게 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 채널 형성 단계를 통해 형성된 제1 및 제2 금속 전극용 구멍에 각각 금속 물질을 증착하여 제1 및 제2 금속 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 금속 전극 층의 증착은 스퍼터(Sputter) 장치를 이용하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 중간 산화 막 층을 일부 식각하는 단계는 BOE(Buffered Oxide Etch) 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노갭의 간격은 5~15nm 인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 채널의 최상부에 비 전도성 물질로 된 커버 막을 형성하고, 상기 커버 막에 검출 대상 물질의 유출입을 위한 하나 이상의 구멍을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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제21항에 있어서, 상기 커버 막으로 PDMS (polydimethylsiloxane) 또는 아크릴판을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서 제조 방법
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산화막 층과,상기 산화막 층의 표면에 수직한 방향으로 형성된 서로 절연 상태에 있는 제1 금속 전극 및 제2 금속 전극과,상기 산화막 층에 평행한 방향으로 상기 제1 금속 전극에 접속된 복수 개의 제1 금속 전극 층들, 상기 산화막 층에 평행한 방향으로 상기 제2 금속 전극에 접속되고 상기 제1 금속 전극 층들 사이마다 위치하는 복수 개의 제2 금속 전극 층들 및 상기 금속 전극 층들 사이마다 위치하고 상기 금속 전극 층들의 너비보다 좁은 너비를 갖는 중간 산화 막 층들로 구성된 복수 개의 나노갭 적층 어레이와,상기 나노갭 적층 어레이들이 이격되도록 서로 평행하게 배치되어 형성된 복수 개의 채널과,상기 채널의 최상부에 형성된 비 전도성 물질로 된 커버 막과,상기 커버 막에 형성된 검출 대상 물질의 유출입을 위한 하나 이상의 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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제23항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속 전극 층은 금(Au), 알루미늄(Al) 또는 텅스텐(W)인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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제23항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속 전극 층의 두께는 20~30nm 인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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제23항에 있어서, 상기 중간 산화 막 층의 두께는 5~15nm 인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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제23항에 있어서, 상기 중간 산화 막 층들의 두께는 각각 동일하지 않은 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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제23항에 있어서, 상기 중간 산화 막 층들은 SiO2, Si3N4 또는 실리콘나이트라이드인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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제23항에 있어서, 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층은 각각 5층 이상 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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제23항에 있어서, 상기 채널의 너비는 1~2㎛이며, 상기 채널간의 간격은 1~2㎛인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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제23항에 있어서, 상기 나노갭의 간격은 5~15nm 인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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제23항에 있어서, 상기 커버 막으로 PDMS (polydimethylsiloxane) 또는 아크릴판을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극을 갖는 센서
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