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ＶＬＳ법을 이용한 ＧｅＴｅ 나노와이어의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015083865
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본발명은 금속 클러스터를 나노와이어의 성장 촉매로 이용하는 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 공정을 이용하는 GeTe 나노와이어 제조 방법을 제공한다. 본발명에 따른 VLS법을 이용한 GeTe 나노와이어의 제조방법은, GeTe 원료와 기판을 반응로 내에 이격시켜 배치하는 단계와, 상기 GeTe 원료가 휘발하여 GeTe 가스 상태가 되도록 상기 GeTe 원료를 소스 온도로 가열시키고 상기 기판을 기판 온도로 가열시키는 단계와, 형성 시간 동안, 상기 반응로 내에 반응 가스를 흘려보내어 상기 GeTe 가스를 상기 기판상에 흡착시키고 확산 및 석출반응을 수행하여 GeTe 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함한다. GeTe 나노와이어, VLS(Vapor-Liquid-Solid)법
Int. CL B82B 3/00 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020070122459 (2007.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0946704-0000 (2010.03.03)
공개번호/일자 10-2009-0055700 (2009.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정순원 대한민국 충북 청원군
2 윤성민 대한민국 대전 서구
3 박영삼 대한민국 대전 서구
4 이승윤 대한민국 대전 유성구
5 유병곤 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0859987-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0020332-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0393775-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0664577-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0664594-07
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0083668-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
VLS법을 이용한 GeTe 나노와이어의 제조방법에 있어서, GeTe 원료와 기판을 반응로 내에 이격시켜 배치하는 단계와, 상기 GeTe 원료가 휘발하여 GeTe 가스 상태가 되도록 상기 GeTe 원료를 500℃~700℃ 사이로 가열시키고 상기 기판을 300℃~450℃ 사이로 가열시키는 단계와, 1분~10시간 사이로 상기 반응로 내에 아르곤 가스를 흘려보내어 상기 GeTe 가스를 상기 기판상에 흡착시키고 확산 및 석출반응을 수행하여 GeTe 나노와이어를 성장시키는 단계 를 포함하는, VLS법을 이용한 GeTe 나노와이어 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 반응로는 수평형인, VLS법을 이용한 GeTe 나노와이어 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 GeTe 원료는 분말상 또는 펠릿상인, VLS법을 이용한 GeTe 나노와이어 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 GeTe 원료의 가열 속도 또는 상기 기판의 가열 속도는 분당 10~30℃ 인, VLS법을 이용한 GeTe 나노와이어 제조방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 아르곤 가스의 유량은 30~750sccm 인, VLS법을 이용한 GeTe 나노와이어 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.