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실리콘 나노점 박막을 이용한 실리콘 나노와이어 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015081727
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 실리콘 나노점을 갖는 실리콘 나노점 박막을 형성하고, 상기 실리콘 나노점을 핵생성층으로 하여 상기 실리콘 나노점 박막 상에서 실리콘 나노 와이어를 성장시킨다. 본 발명은 금속 촉매 아일랜드를 사용하지 않고 실리콘 질화물 기저체 내에 실리콘 나노점이 형성된 실리콘 나노점 박막을 핵생성층으로 하여 실리콘 나노와이어를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020060053896 (2006.06.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0723882-0000 (2007.05.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박래만 대한민국 대전 유성구
2 김상협 대한민국 대전 서구
3 박종혁 대한민국 대구 동구
4 맹성렬 대한민국 충북 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에이피앤 경기도 용인시 기흥구
2 욱성화학주식회사 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0419334-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0019543-12
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0235231-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0346978-52
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번호 청구항
1 1
기판 상에 실리콘 나노점을 갖는 실리콘 나노점 박막을 형성하고; 및 상기 실리콘 나노점을 핵생성층으로 하여 상기 실리콘 나노점 박막 상에서 실리콘 나노 와이어를 성장시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노점 박막은 실리콘 질화물 기저체 내에 형성된 실리콘 나노점을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노점은 결정 또는 비정질인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노와이어는 열화학기상증착법에 의하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 제조 방법
5 5
기판 상에 복수개의 실리콘 나노점들의 표면을 노출하면서 실리콘 나노점 박막을 형성하고; 및 상기 노출된 실리콘 나노점들을 핵생성층으로 하여 상기 실리콘 나노점들마다 하나씩 실리콘 나노와이어를 성장시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 실리콘 나노점 박막은 실리콘 질화물 기저체 내에 형성된 실리콘 나노점을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 제조 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 실리콘 나노점 박막은 상기 기판 상에 5nm 이하의 직경 및 1012 개수cm-2 이상의 면밀도로 형성하고, 상기 실리콘 나노와이어는 상기 실리콘 나노점들마다 10nm 이하의 직경을 갖게 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 제조 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 실리콘 나노와이어는 외벽에 산화층이 형성되더라도 직경이 10nm 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 제조 방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 실리콘 나노점 박막은 상기 기판 상의 실리콘 질화물 기저체 내에 형성된 실리콘 나노점을 포함하여 형성하고, 상기 실리콘 나노와이어는 상기 실리콘 질화물 기저체 내의 실리콘 나노점을 핵생성층으로 하여 상기 실리콘 질화물 기저체를 제외한 상기 실리콘 나노점 박막 상에서만 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02036117 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 US07985666 US 미국 FAMILY
3 US20090325365 US 미국 FAMILY
4 WO2007145407 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2036117 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2036117 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 US2009325365 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7985666 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2007145407 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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