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기판에 형성된 멤즈 구조체, 상기 멤즈 구조체를 구동하는 제1 패드 전극, 상기 기판의 테두리 부분에 형성된 제1 실링부, 및 상기 제1 패드 전극 및 제1 실링부에 형성된 연결부를 포함하여 이루어지는 멤즈 소자; 및 상기 제1 패드 전극 및 제1 실링부에 대응하여 각각 제2 패드 전극 및 제2 실링부를 구비하여 상기 연결부를 매개로 상기 멤즈 소자와 일정 거리의 에어갭을 두고 밀봉하면서 본딩된 멤즈 구동용 전자소자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 멤즈 패키지
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제1항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 멤즈 소자는 상기 실리콘 기판에 형성된 리세스부와, 상기 리세스부 상의 공간부에 부유 상태로 형성된 상기 멤즈 구조체를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지
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제2항에 있어서, 상기 멤즈 구조체는 실리콘 질화막 패턴 또는 폴리실리콘막 패턴인 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지
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제1항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 기판은 SOI 기판이고, 상기 멤즈 소자는 상기 SOI 기판의 산화층을 선택적으로 식각하여 마련된 공간부와, 상기 공간부 상에 상기 SOI 기판의 실리콘 에피층을 선택적으로 식각하여 부유 상태로 형성된 실리콘 에피층 패턴으로 이루어지는 상기 멤즈 구조체를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지
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제1항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 기판은 실리콘 기판이고, 상기 멤즈 소자는 상기 실리콘 기판에 마련된 공간부와, 상기 공간부 상에 상기 실리콘 기판을 관통하도록 식각하여 형성된 부유 상태의 실리콘 패턴으로 이루어지는 멤즈 구조체와, 상기 공간부를 밀봉하도록 상기 실리콘 기판에 배면 또는 표면에 형성된 캡층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지
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제5항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 제1 패드 전극은 상기 기판 내에 형성된 제1 비아와 연결되고, 상기 제1 비아에는 상기 캡층에 형성된 제2 비아와 연결되고, 상기 제2 비아에는 외부 기판과 연결될 수 있는 제3 패드 전극 및 금속볼이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지
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제1항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 제1 패드 전극은 상기 기판 내에 형성된 비아와 연결되고, 상기 비아에는 외부 기판과 연결될 수 있는 제3 패드 전극 및 금속볼이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지
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기판에 멤즈 구조체, 상기 멤즈 구조체를 구동하는 제1 패드 전극, 및 상기 기판의 테두리 부분에 제1 실링부를 형성하는 단계;상기 제1 패드 전극 및 제1 실링부에 연결부를 형성하여 멤즈 소자를 형성하는 단계; 및 상기 제1 패드 전극 및 제1 실링부에 대응하여 각각 제2 패드 전극 및 제2 실링부를 갖는 멤즈 구동용 전자소자를 상기 연결부를 매개로 상기 멤즈 소자와 일정 거리의 에어갭을 두고 밀봉하면서 본딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지 방법
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제8항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 기판을 실리콘 기판으로 형성할 때 상기 멤즈 소자를 형성하는 단계는,상기 실리콘 기판을 선택적으로 식각하여 리세스부를 형성하는 단계와, 상기 리세스부 내에 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층 및 실리콘 기판 상에 멤즈 구조체를 형성하는 단계와, 상기 멤즈 구조체 상에 상기 제1 패드 전극 및 상기 제1 실링부를 형성하는 단계와, 상기 희생층을 제거하여 상기 멤즈 구조체를 공간부 상에서 부유 상태로 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지 방법
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제9항에 있어서, 상기 멤즈 구조체를 형성하는 단계는, 상기 희생층 및 실리콘 기판 상에 멤즈 구조체용 물질막을 형성하는 단계와, 상기 멤즈 구조체용 물질막을 패터닝하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지 방법
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제10항에 있어서, 상기 희생층 및 멤즈 구조체는 각각 폴리실리콘막 및 실리콘 질화막으로 형성하거나, 상기 희생층 및 멤즈 구조체는 각각 산화막 및 폴리실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지 방법
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12
제8항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 기판을 SOI 기판으로 형성할 때 상기 멤즈 소자를 형성하는 단계는,상기 SOI 기판의 실리콘 에피층을 패터닝하여 실리콘 에피층 패턴으로 상기 멤즈 구조체를 형성하는 단계와, 상기 멤즈 구조체 하부의 상기 SOI 기판의 산화층을 선택적으로 식각하여 공간부를 형성함과 아울러 상기 실리콘 에피층 패턴을 부유 상태로 하는 단계로 하는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지 방법
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제8항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 기판을 실리콘 기판으로 형성할 때 상기 멤즈 소자를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 기판을 선택적으로 식각하여 리세스부를 형성하는 단계와, 상기 리세스부 상에 상기 실리콘 기판을 관통하도록 식각하여 실리콘 패턴으로 이루어지는 멤즈 구조체와 공간부를 형성하는 단계와, 상기 공간부를 밀봉하도록 상기 실리콘 기판에 배면 또는 표면에 캡층을 형성함과 아울러 상기 멤즈 구조체를 부유 상태로 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지 방법
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제13항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 제1 패드 전극 하부의 상기 기판 내에 제1 비아를 형성하는 단계와, 상기 캡층에 상기 제1 비아와 연결되는 제2 비아를 형성하는 단계와, 상기 제2 비아에 외부 기판과 연결할 수 있는 제3 패드 전극 및 금속구를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지 방법
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제8항에 있어서, 상기 멤즈 소자의 제1 패드 전극 하부의 상기 기판 내에 비아를 형성하는 단계와, 상기 비아에 외부 기판과 연결할 수 있는 제3 패드 전극 및 금속구를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤즈 패키지 방법
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