| 1 |
1
금 전자빔 레지스트를 합성하는 단계;기판 상에 합성된 상기 금 전자빔 레지스트를 코팅하여 금 전자빔 레지스트막을 형성하는 단계;상기 금 전자빔 레지스트막을 전자빔 기록기를 이용하여 패터닝하여 금 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금 전자빔 레지스트 패턴을 열처리하여 상기 금 전자빔 레지스트 패턴을 금 패턴으로 변환시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금 패턴 형성 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 금 전자빔 레지스트 합성은,하이드로전 테트라클로로오유레이트(III) 트라이하이드레이트(Hydrogen tetrachloroaurate(III) trihydrate, HAuCl4ㆍ3H2O) 수용액과 테트라옥틸암모니움 브로마이드(tetraoctylammonium bromide, ((C8H17)4-NBr)를 톨루엔에 용해시킨 용액을 혼합하고, 혼합 용액을 교반하여 금 나노입자를 합성하는 단계;상기 금 나노 입자를 리간드로 코팅하는 단계; 및 상기 리간드로 코팅된 금 나노 입자를 용매제에 녹여 금 전자빔 레지스트를 합성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금 패턴 형성 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 혼합 용액은 테트라클로로오유레이트(III) 트라이하이드레이트와 테트라옥틸암모니움 브로마이드의 몰 비율을 1:2 내지 1:6으로 조절하는 것을 특징으로 하는 금 패턴 형성 방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 금 나노 입자를 합성하는 단계는,상기 혼합 용액의 교반 후에 테트라클로로오유레이트가 테트라옥틸암모니움 브로마이드를 상전이 촉매제로 하여 유기층으로 전이됨과 아울러 상기 혼합 용액은 상기 유기층과 수용액층으로 분리되는 것을 특징으로 하는 금 패턴 형성 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 금 나노 입자를 리간드로 코팅하는 단계는,상기 유기층을 분리한 후, 상기 유기층에 상기 리간드를 포함하는 물질을 용해시킨 용액을 교반하여 상기 리간드가 코팅된 금 나노입자 유기 용액을 얻는 단계와, 상기 리간드가 코팅된 금 나노 입자 유기 용액에 소디움 보로하이드라이드(sodium borohydride, NaBH4) 수용액을 첨가하여 유기상을 분리시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 금 패턴 형성 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 리간드는 싸이올(thiols), 아민(amines), 실란(silanes), 포스핀(phosphines), 할라이드(halides) 및 알칸(alkanes)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 금 패턴 형성 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 금 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계는,상기 금 전자빔 레지스트막의 표면을 상기 전자빔 기록기를 이용하여 일정한 패턴 모양에 따라 전자빔에 노출시키는 단계와, 상기 전자빔에 노출된 상기 금 전자빔 레지스트막을 현상하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금 패턴 형성 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 금 전자빔 레지스트막을 현상할 때 현상액은 자이렌(xyrene), 싸이클로헥산(cyclohexane), 톨루엔(toluene), 싸이올(thiols), 옥탄(octane) 및 에탄올(ethanol)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 금 패턴 형성 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 금 전자빔 레지스트 패턴의 열처리는 공기 분위기로 50℃ 내지 800℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 금 패턴 형성 방법
|
