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다중 구조의 나노와이어 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015082722
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화합물 반도체 나노로드와 실리콘 와이어가 접합된 다중 구조의 나노와이어 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 의한 다중 구조의 나노와이어의 제조방법은 화합물 반도체의 나노로드를 제공하는 단계; 상기 나노로드의 양단에 촉매팁을 형성하는 단계; 및 상기 촉매팁이 형성된 나노로드의 양단에 실리콘 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함한다. 다중 나노와이어, 화합물 반도체, 나노로드, 나노와이어
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070035723 (2007.04.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0853200-0000 (2008.08.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.11)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종혁 대한민국 대구 동구
2 맹성렬 대한민국 충북 청주시 흥덕구
3 박래만 대한민국 대전 유성구
4 페라리 안드레아 씨. 이탈리아 씨비* *알에프, 트
5 파솔리 안드레아 이탈리아 씨비* *알에프, 트
6 콜리 알란 이탈리아 씨비* *디에스, 켐프

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0278417-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0001360-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0178800-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0313489-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0313488-98
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0400079-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 나노로드; 및각각 상기 나노로드의 양단에 접합되어 있고, 각각 상기 나노로드의 양단의 반대편으로 신장되어 있는 실리콘 나노와이어
2 2
제1 항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs, InSb, AlInGaP, AlGaAs, InGaN, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, TiO2, HgTe, CdHgTe 으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 다중 구조의 나노와이어
3 3
제1 항에 있어서, 상기 나노로드의 길이는 2~100 ㎚ 인 다중 구조의 나노와이어
4 4
제1 항에 있어서, 상기 다중 구조의 나노와이어의 직경은 10~100 ㎚ 인 다중 구조의 나노와이어
5 5
화합물 반도체의 나노로드를 제공하는 단계;상기 나노로드의 양단에 촉매팁을 형성하는 단계;상기 촉매팁이 형성된 나노로드의 양단에 실리콘 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 다중 구조의 나노와이어의 제조 방법
6 6
제5 항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs, InSb, AlInGaP, AlGaAs, InGaN, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, TiO2, HgTe, CdHgTe 으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 다중 구조의 나노와이어의 제조 방법
7 7
제5 항에 있어서, 상기 나노로드의 길이는 2~100 ㎚ 인 다중 구조의 나노와이어의 제조 방법
8 8
제5 항에 있어서, 상기 다중 구조의 나노와이어의 직경은 10~100 ㎚ 인 다중 구조의 나노와이어의 제조 방법
9 9
제5 항에 있어서, 상기 촉매팁은 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 다중 구조의 나노와이어의 제조 방법
10 10
제5 항에 있어서, 상기 나노로드의 양단에 실리콘 나노와이어를 성장시키는 단계는 상기 나노로드를 기판 위에 분산시키는 단계; 및상기 나노로드가 분산된 기판을 실리콘 소스 분위기의 챔버에 넣고, 실리콘 소스가 실리콘 원자 또는 실리콘 분자로 분해될 수 있도록 상기 챔버를 열처리하는 단계; 를 포함하는 다중 구조의 나노와이어의 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 실리콘 소스는 Si 과 C 의 혼합분말 또는 실란 가스(SiH4)인 다중 구조의 나노와이어의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02144846 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP22523341 JP 일본 FAMILY
3 US20100117058 US 미국 FAMILY
4 WO2008126983 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2144846 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 JP2010523341 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2010523341 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2010523341 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2010117058 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2008126983 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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