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M (M은 천이 금속 원소 또는 반금속 원소)을 포함하는 유기물 전구체가 유기 용매에 용해되어 있는 혼합 용액을 기판의 표면에 코팅하는 단계와, 상기 혼합 용액이 코팅된 기판을 열처리하여 상기 기판상에 MxOy (x는 1 ∼ 3의 정수, y는 1 ∼ 6의 정수) 조성을 가지는 나노 핵을 형성하는 단계와, 상기 M을 포함하는 반응 전구체를 상기 나노 핵에 공급하면서 상기 나노 핵을 성장시켜 MxOy (x는 1 ∼ 3의 정수, y는 1 ∼ 6의 정수) 조성을 가지는 나노 구조물을 형성하는 단계와, 상기 나노 구조물을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 M은 Ti, V, Cr, Zn, Y, Zr 및 Nb로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 천이 금속 원소인 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 M은 Si, Ge 및 As로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 반금속 원소인 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합 용액은 M(CH3COO)2·2H2O 조성의 유기물 전구체와 알콜계 유기 용매와의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 혼합 용액은 상기 유기물 전구체 및 알콜계 유기 용매가 1:1 ∼ 1:5000의 부피비로 혼합된 것임을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합 용액을 기판의 표면에 코팅하는 단계는 딥핑(dipping), 스핀 코팅, 또는 스프레이 방식에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합 용액이 코팅된 기판을 열처리하는 단계는 50 ∼ 500 ℃의 온도하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 혼합 용액이 코팅된 기판을 열처리하는 단계는 1 초 ∼ 1 시간 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 구조물을 형성하는 단계에서는 상기 나노 핵을 성장시키기 위하여 스퍼터링 (sputtering), 열 CVD (thermal chemical vapor deposition), MOCVD (metal-organic CVD), VSLE (vapor liquid solid epitaxial), PLD (pulsed laser deposition) 또는 졸-겔 공정 (sol-gel process)을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 구조물을 열처리하는 단계는 100 ∼ 1200 ℃의 온도하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 나노 구조물을 열처리하는 단계는 1 분 ∼ 24 시간 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 구조물은 나노 와이어 (nano-wire), 나노 로드(nano-rod), 나노월(nano-wall)의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 Al2O3, 석영, Si, GaN, 또는 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물계 나노 구조물의 제조 방법
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