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나노 구조물 복합체 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015082837
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 구조물 복합체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 기판; 상기 기판 위에 형성되고 탄소 나노 구조물로 이루어진 제 1 층; 및 상기 제 1 층 위에 형성되고 금속 산화물의 나노 구조물로 이루어진 제 2 층을 포함하는 나노 구조물 복합체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 나노 구조물 복합체를 이용하면, 기존의 전계 방출 소자보다 더욱 우수한 고효율 전계방출 특성을 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 훨씬 더 낮은 온도와 상압에서도 제조가 가능하기 때문에 가격이 저렴하고 대면적 공정이 가능한 장점이 있다. 나노구조물, 복합체, 금속 산화물, 전이금속, 메탈로이드, 촉매 금속
Int. CL B82B 1/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020070089169 (2007.09.03)
출원인 한국전자통신연구원, 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0987385-0000 (2010.10.06)
공개번호/일자 10-2009-0023999 (2009.03.06) 문서열기
공고번호/일자 (20101012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상협 대한민국 대전 서구
2 박승식 대한민국 경북 구미시
3 김상우 대한민국 경북 구미시
4 이동구 대한민국 경북 구미시
5 김성진 대한민국 경북 구미시
6 맹성렬 대한민국 대전 유성구
7 이선영 대한민국 대전 유성구
8 명혜진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0640998-18
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-5081511-24
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0078727-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0346478-85
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0642659-61
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0714022-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5248845-02
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0790252-75
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0038475-24
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0038474-89
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0156189-52
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0381066-10
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0381065-75
16 등록결정서
Decision to grant
2010.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0389392-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
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번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 위에 형성되고 탄소 나노 구조물로 이루어진 제 1 층; 및 상기 제 1 층 위에 형성되고 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 및 니오븀(Nb)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산화물인 금속 산화물의 나노 와이어(nanowire)로 이루어진 제 2 층; 을 포함하고, 상기 금속 산화물의 나노 와이어의 제1층 반대쪽 말단에 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 또는 구리(Cu)로 촉매 금속이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 복합체
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판이 실리콘, 갈륨 나이트라이드 또는 사파이어인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 복합체
6 6
기판 위에 탄소나노 구조물의 제 1 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 층을 열처리하는 단계; 상기 제 1 층 위에 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 또는 구리(Cu)로 이루어지는 촉매 금속을 분포시키는 단계; 및 상기 제 1 층 위에 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 및 니오븀(Nb)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산화물인 금속 산화물의 나노 와이어(nanowire)로 이루어진 제 2 층을 형성하는 단계; 를 포함하는 나노 구조물 복합체의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 기판이 실리콘, 갈륨 나이트라이드 또는 사파이어인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 복합체의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 제 2 층을 형성하는 단계가 상기 제 1 층 위에 금속 산화물을 화학기상증착하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 복합체의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 화학기상증착이 수행되는 동안 상기 기판 및 제 1 층의 온도가 300 ℃ 내지 550 ℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 복합체의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20100255252 US 미국 FAMILY
2 WO2009031802 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2009031802 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010255252 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2009031802 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2009031802 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 한국전자통신연구원 IT신성장동력핵심기술개발사업 차세대 고성능 광전자소자 및 스마트 생화학 센서 구현을위한 IT-BT-NT 융합 핵심기술 개발