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기판 상부에 부양된 진동부와 상기 진동부의 길이 방향의 양단부를 지지하는 지지부를 구비하는 하나이상의 나노 구조물;
상기 나노 구조물의 지지부를 지지하기 위해 상기 기판 상에 형성되는 지지대;
상기 기판 상부 또는 하부 또는 상하부 양측에 형성되어 상기 나노 구조물을 제어하는 하나이상의 제어부; 및
상기 진동부 상에 형성되어 외부에서 유입되는 물질을 감지하는 감지부
를 포함하는 3차원 나노 소자
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제1항에 있어서,
상기 기판 하부에 형성되는 외부 진동부를 더 포함하는 3차원 나노 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제어부는 상기 나노 구조물의 진동부 상부 및 하부 중 적어도 하나에 상기 나노 구조물과 교차되도록 형성되어 상기 진동부의 진동을 유발하는 압전 물질 또는 금속 물질을 포함하는 3차원 나노 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제어부는 상기 기판 상부의 상기 진동부 하부에 상기 나노 구조물과 교차되도록 형성되어 상기 진동부의 진동을 유발하는 하나이상의 전극을 포함하는 3차원 나노 소자
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제1항에 있어서,
상기 진동부의 폭은 수 나노미터 내지 1마이크로미터 범위이고, 상기 진동부의 높이는 수 나노미터 내지 1마이크로미터 범위이며, 상기 진동부의 길이는 100나노미터 내지 100마이크로미터 범위인 3차원 나노 소자
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6
제1항에 있어서,
상기 진동부 및 상기 기판은 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C, P, B-C, B-P(BP6), B-Si, Si-C, Si-Ge, Si-Sn 및 Ge-Sn, SiC, BN/BP/BAs, AlN/AlP/AlAs/AlSb, GaN/GaP/GaAs/GaSb, InN/InP/InAs/InSb, BN/BP/BAs, AlN/AlP/AlAs/AlSb, GaN/GaP/GaAs/GaSb, InN/InP/InAs/InSb, ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe, CdS/CdSe/CdTe, HgS/HgSe/HgTe, BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, AgF, AgCl, AgBr, AgI, BeSiN2, CaCN2ZnGeP2, CdSnAs2, ZnSnSb2, CuGeP3, CuSi2P3, (Cu, Ag)(Al, Ga, In, Ti, Fe)(S, Se, Te)2, SiO2, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, (Al, Ga, In)2(S, Se, Te)3, 및 Al2CO 중 하나의 재료를 이용하거나 상기 재료 중 적어도 2개 이상을 조합한 조합물 중 하나의 재료를 이용하는 3차원 나노 소자
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제1항에 있어서,
상기 진동부의 길이가 같거나 다른 나노 구조물이 복수 개 설치되거나 상기 진동부의 길이 중 일부는 같고 일부는 다른 나노 구조물이 복수 개 설치되는 3차원 나노 소자
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8
제7항에 있어서,
상기 진동부는 상기 진동부의 길이에 따른 기본 진동수 및 비선형 진동수를 이용하는 3차원 나노 소자
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9
제8항에 있어서,
상기 감지부는 상기 기본 진동수의 최대 진폭 영역에 형성되며, 상기 최대 진폭 영역에는 물질의 흡착을 위한 프로브가 형성되는 3차원 나노 소자
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10
제9항에 있어서,
상기 감지부는 금속 또는 실리콘 또는 산화물로 이루어진 3차원 나노 소자
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11
제10항에 있어서,
상기 감지부 상에는 유기물 프로브가 더 형성되는 3차원 나노 소자
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12
제11항에 있어서,
상기 유기물 프로브는 티올(thiol)그룹, 아민 및 실란 그룹을 포함하는 그룹, 및 이들과 결합하는 DNA 및 항체를 포함하는 바이오 물질을 포함하며, 유입되는 물질과 화학적으로 결합하는 3차원 나노 소자
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제1항에 있어서,
상기 기판의 둘레를 따라 형성된 측면부와, 상기 측면부의 일영역에 형성된 유체 유입구, 상기 측면부의 다른 일영역에 형성된 유체 유출구 및 상기 측면부의 상부에 형성되는 상면부를 포함하는 3차원 나노 소자
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제13항에 있어서,
상기 나노 구조물의 진동부 영역으로 레이저 광원을 제공하는 레이저와, 상기 레이저로부터 제공된 상기 레이저 광원을 수광하는 레이저 감지부를 더 포함하는 3차원 나노 소자
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기판 상부에 부양된 진동부와 상기 진동부의 길이 방향의 양단부를 지지하는 지지부를 구비하는 하나이상의 나노 구조물;
상기 나노 구조물의 지지부를 지지하기 위해 상기 기판 상에 형성되는 지지대;
상기 나노 구조물의 진동부 하부에 상기 나노 구조물과 교차되도록 형성되는 하나 이상의 전극; 및
상기 진동부 상에 형성되어 외부에서 유입 및 흡착되는 물질을 감지하는 감지부
를 포함하는 3차원 나노 소자
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제15항에 있어서,
상기 나노 구조물은 게이트 전극 역할을 수행하는 3차원 나노 소자
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제16항에 있어서,
상기 전극은 소스 전극과 드레인 전극을 포함하며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에는 갭이 형성되는 3차원 나노 소자
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18
제17항에 있어서,
상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 갭 상부 영역의 상기 나노 구조물에는 양자점이 형성되어 있는 3차원 나노 소자
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19
제17항에 있어서,
상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 갭 상부 영역의 상기 나노 구조물에는 양자점이 형성되어 있으며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극이 자성물질인 3차원 나노 소자
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20
제17항에 있어서,
상기 기판 상부에 다수 개의 게이트가 형성되어 있는 3차원 나노 소자
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