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ＺｎＯ 나노와이어 네트워크 패턴 및 ＺｎＯ 나노와이어네트워크 소자의 형성방법
- 기술번호 : KST2015083143
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | ZnO 나노와이어 네트워크 패턴 및 ZnO 나노와이어 네트워크 소자의 형성방법을 제공한다. 본 발병에 의한 ZnO 나노와이어 네트워크 소자의 형성방법은 기판 위에 소자가 형성될 소자 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 기판 위에 졸겔법에 의하여 ZnO 나노와이어 네트워크를 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 상기 소자 형성 영역에 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴을 형성하는 단계; 를 포함한다. 본 발명에 의하면 리소그래피 공정과 졸겔법을 사용함으로써 원하는 모양과 크기의 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴 및 소자를 저온에서 안정적인 수율로 형성할 수 있다. ZnO 나노와이어 네트워크 소자, 리소그래피, 졸겔법 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/027 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) |
| CPC | B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070077171 (2007.07.31) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원, 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0932898-0000 (2009.12.11) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0012929 (2009.02.04) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20091221) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.07.31) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박종혁 | 대한민국 | 대구 동구 |
| 2 | 허정환 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 3 | 김규태 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 4 | 문승언 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 5 | 김은경 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 6 | 이홍열 | 대한민국 | 충북 청주시 상당구 |
| 7 | 박강호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 8 | 김종대 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.07.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0560917-76 |
| 2 | [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 [Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document |
2007.08.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-5071570-28 |
| 3 | [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서 [Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document |
2007.08.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-5071566-45 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.06.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0038241-53 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0605025-35 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.01.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0054869-61 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.01.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0054870-18 |
| 10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.05.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0227932-00 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.06.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0398102-40 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0398101-05 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 15 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0496031-19 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 위에 기판의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 졸겔법에 의하여 상기 기판의 노출된 부분과 상기 포토레지스트 패턴 위에 ZnO 나노와이어 네트워크를 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 상기 기판 위에 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하되, 상기 졸겔법에 의하여 상기 ZnO 나노와이어 네트워크를 형성하는 단계는 질산 아연(Zn(NO3)2·6H2O) 과 메테나민(metheamine, C6H12N4))을 포함하는 혼합용액을 준비하는 단계; 및 상기 혼합용액에 상기 기판을 적시는 단계; 를 포함하는 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴의 형성방법 |
| 2 |
2 제1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트를 노광하는 단계; 및 상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴의 형성방법 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 포토리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 이용하여 형성하는 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴의 형성방법 |
| 4 |
4 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 콘택 프린팅 또는 임프린트 리소그래피를 이용하여 형성하는 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴의 형성방법 |
| 5 |
5 제1 항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함하는 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴의 형성방법 |
| 6 |
6 제1 항에 있어서, 상기 ZnO 나노와이어 네트워크를 형성하는 단계는 80℃ 내지 100℃ 범위의 온도에서 수행되는 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴의 형성방법 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 제1 항에 있어서, 상기 혼합용액에 상기 기판을 적시는 단계는 침지(immersion) 또는 스핀코팅 방법을 포함하는 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴의 형성방법 |
| 9 |
9 기판 위에 소자가 형성될 소자 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 기판 위에 졸겔법에 의하여 ZnO 나노와이어 네트워크를 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 상기 소자 형성 영역에 ZnO 나노와이어 네트워크 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하되, 상기 졸겔법에 의하여 상기 ZnO 나노와이어 네트워크를 형성하는 단계는 질산 아연(Zn(NO3)2·6H2O 과 메테나민(metheamine, C6H12N4))을 포함하는 혼합용액을 준비하는 단계; 및 상기 혼합용액에 상기 기판을 적시는 단계; 를 포함하는는 ZnO 나노와이어 네트워크 소자의 형성방법 |
| 10 |
10 제9 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 전 상기 기판 위에 상기 소자 영역과 전기적으로 연결되는 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 ZnO 나노와이어 네트워크 소자의 형성방법 |
| 11 |
11 제9 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 포토리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 이용하여 형성하는 ZnO 나노와이어 네트워크 소자의 형성방법 |
| 12 |
12 제9 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 콘택 프린팅 또는 임프린트 리소그래피를 이용하여 형성하는 ZnO 나노와이어 네트워크 소자의 형성방법 |
| 13 |
13 제9 항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함하는 ZnO 나노와이어 네트워크 소자의 형성방법 |
| 14 |
14 삭제 |
| 15 |
15 제9 항에 있어서, 상기 ZnO 나노와이어 네트워크의 형성 단계는 80℃ 내지 100℃ 범위의 온도에서 수행되는 ZnO 나노와이어 네트워크 소자의 형성방법 |
| 16 |
16 제10 항에 있어서, 상기 기판은 상기 전극 아래의 절연층을 더 포함하는 ZnO 나노와이어 네트워크 소자의 형성방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 정보통신부 | 한국전자통신연구원 | IT신성장동력핵심기술개발사업 | 유비쿼터스 단말용 부품 모듈 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0932898-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070731 출원 번호 : 1020070077171 공고 연월일 : 20091221 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091130 청구범위의 항수 : 14 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : ＺｎＯ 나노와이어 네트워크 패턴 및 ＺｎＯ 나노와이어네트워크 소자의 형성방법 존속기간(예정)만료일 : 20121212 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2009년 12월 14일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.07.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0560917-76 |
| 2 | [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 | 2007.08.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-5071570-28 |
| 3 | [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서 | 2007.08.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-5071566-45 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2008.06.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0038241-53 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2008.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0605025-35 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.01.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0054869-61 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.01.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0054870-18 |
| 10 | 의견제출통지서 | 2009.05.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0227932-00 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.06.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0398102-40 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0398101-05 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 15 | 등록결정서 | 2009.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0496031-19 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1445006473 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-S-006-02 |
| 연구과제명 | 유비쿼터스단말용부품/모듈 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200703~200802 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415100592 |
|---|---|
| 세부과제번호 | KI001602 |
| 연구과제명 | 유비쿼터스단말용부품/모듈 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201002 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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