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넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어발진기

  • 기술번호 : KST2015095767
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기에 관한 것으로, LC 공진 회로에 추가로 연결된 다수개의 MOS 트랜지스터에 의해 가변 커패시턴스 범위가 증가되어 제어전압에 대한 발진 주파수를 선형적으로 변화시킬 수 있으며, 상기 MOS 트랜지스터 개수, 폭과 길이 및 동작 영역을 조절하여 발진 주파수의 범위를 넓히거나 좁힐 수 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따르면 스위칭 소자를 사용하지 않고도 넓은 발진 주파수 범위와 선형적인 제어전압-발진 주파수의 특성을 갖는 전압 제어 발진기를 구현할 수 있다. 전압 제어 발진기, 버랙터 다이오드, 커패시턴스, MOSFET, 차동방식
Int. CL H03B 5/08 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070095432 (2007.09.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0937402-0000 (2010.01.11)
공개번호/일자 10-2009-0030102 (2009.03.24) 문서열기
공고번호/일자 (20100118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희동 대한민국 대전광역시 유성구
2 김귀동 대한민국 대전광역시 대덕구
3 권종기 대한민국 대전광역시 서구
4 김종대 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0679862-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0054947-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0118914-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0295518-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0295549-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0405023-43
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0054484-82
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0535702-07
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제어전압에 따라 주파수를 발진시키는 LC 공진 회로와, 상기 발진 주파수를 증폭하는 증폭 회로를 포함하며, 상기 LC 공진 회로는, 인덕터; 상기 인덕터에 병렬 연결된 제 1, 2 가변 버랙터로 이루어지며 제 1 제어전압에 따라 제 1 가변 커패시턴스값을 갖는 제 1 가변 커패시턴스부; 및 상기 제 1, 2 가변 버랙터에 각각 병렬 연결된 제 1, 2 트랜지스터로 이루어지며 제 2 제어전압에 따라 제 2 가변 커패시턴스값을 갖는 제 2 가변 커패시턴스부를 포함하고, 상기 제 1, 2 트랜지스터의 소스 단자와 드레인 단자는 서로 단락되고, 상기 제 1, 2 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제 2 제어전압에 공통으로 연결되며, 상기 제 1, 2 트랜지스터의 제 2 가변 커패시턴스값에 따라 상기 제어전압에 대한 발진 주파수가 선형적으로 변화되는 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1, 2 트랜지스터의 폭과 길이 및 동작 영역에 따라 상기 발진 주파수가 변화되는 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제 1, 2 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터 또는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
6 6
제 1항에 있어서, 상기 제 1, 2 제어전압은 서로 다른 전압값을 갖거나, 또는 서로 동일한 전압값을 갖는 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
7 7
제 1항에 있어서, 상기 인덕터는 고정 인덕터 또는 가변 인덕터인 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
8 8
제 1항에 있어서, 상기 LC 공진 회로는 적어도 하나 이상의 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
9 9
제 1항에 있어서, 상기 제 1 가변 커패시턴스부는 두개 이상의 가변 버랙터로 이루어진 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
10 10
제어전압에 따라 주파수를 발진시키는 LC 공진 회로와, 상기 발진 주파수를 증폭하는 증폭 회로를 포함하며, 상기 LC 공진 회로는, 인덕터; 상기 인덕터에 병렬 연결된 제 1, 2 가변 버랙터로 이루어지며 제 1 제어전압에 따라 제 1 가변 커패시턴스값을 갖는 제 1 가변 커패시턴스부; 및 한쌍씩 다단으로 구성되어 상기 제 1, 2 가변 버랙터에 병렬 연결되는 제 1 내지 제 2N 트랜지스터로 이루어지며 제 2 제어전압에 따라 제 2 가변 커패시턴스값을 갖는 제 2 가변 커패시턴스부를 포함하고, 상기 제 1 내지 제 2N 트랜지스터의 소스 단자와 드레인 단자는 서로 단락되고, 상기 제 1 내지 제 2N 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제 2 제어전압에 공통으로 연결되며, 상기 제 1 내지 제 2N 트랜지스터의 제 2 가변 커패시턴스값에 따라 상기 제어전압에 대한 발진 주파수가 선형적으로 변화되는 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제 10항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2N 트랜지스터의 폭과 길이 및 동작 영역에 따라 상기 발진 주파수가 변화되는 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
14 14
제 10항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2N 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터 또는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
15 15
제 10항에 있어서, 상기 제 1, 2 제어전압은 서로 다른 전압값을 갖거나, 또는 서로 동일한 전압값을 갖는 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
16 16
제 10항에 있어서, 상기 제 2 제어전압이 서로 다른 제 2-1 내지 제 2-N 제어전압으로 구성된 경우, 상기 한쌍씩 다단으로 구성된 각 단의 트랜지스터에 상기 서로 다른 제 2-1 내지 2-N 전압이 각각 인가되는 것을 특징으로 하는 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어 발진기
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1 US20090072919 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009072919 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 한국전자통신연구원 IT신성장동력핵심기술개발사업 유비쿼터스 단말용 부품 모듈