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p-도펀트가 도핑된 도펀트층을 형성하는 단계;
제 1 산화아연 층을 형성하는 단계; 및
상기 p-도펀트를 상기 제 1 산화아연층으로 확산 및 활성화시키기 위하여 상기 도펀트층 및 상기 제 1 산화아연 층을 열처리하는 단계;
를 포함하고,
상기 p-도펀트가 인(P), 질소(N), 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 세슘(Cs), 안티몬(Sb), 납(Pb), 비소(As), 구리(Cu)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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2
제 1 항에 있어서, 상기 열처리가 200 ℃ 내지 900 ℃의 온도에서 20분 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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3
제 1 항에 있어서, 상기 도펀트 층을 기판 위에 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제 1 산화아연층이 상기 도펀트층 위에 직접 접촉되어 형성되는 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 산화아연층을 기판 위에 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 도펀트층이 상기 제 1 산화아연층 위에 직접 접촉되어 형성되는 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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5
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계가 상기 제 1 산화아연층의 상기 도펀트 층과 접촉하는 쪽에 p-형 산화아연층이 형성되고 그 반대쪽에 n-형 산화아연층이 잔존하도록 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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6
제 5 항에 있어서, 상기 열처리가 400 ℃ 내지 900 ℃의 온도에서 20분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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7
제 3 항에 있어서, 상기 열처리 후에 상기 제 1 산화아연 층의 상부에 제 2 산화아연 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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8
제 1 항에 있어서, 상기 p-도펀트가 1족 또는 15족 물질인 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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9
삭제
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10
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 산화아연 층의 형성이 불활성기체/O2 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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11
제 10 항에 있어서, 상기 불활성기체와 O2의 몰비가 99 : 1 내지 50 : 50인 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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12
제 1 항에 있어서, 상기 p-도펀트가 도핑된 도펀트층은 실리콘(Si), 실리콘저매늄(SiGe), 저매늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 실리콘카바이드(SiC), 및 산화아연(ZnO)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 층에 p-도펀트가 도핑된 층인 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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13
제 1 항에 있어서, 상기 도펀트 층의 도펀트 농도가 1018 내지 1022 /cm3인 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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14
제 13 항에 있어서, 상기 도펀트 층의 도펀트 농도가 1018 내지 1020 /cm3인 것을 특징으로 하는 p-형 산화아연 층의 형성 방법
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15
p-도펀트가 도핑된 도펀트층을 형성하는 단계;
제 1 산화아연 층을 형성하는 단계; 및
상기 p-도펀트를 상기 제 1 산화아연층으로 확산 및 활성화시키기 위하여 상기 도펀트층 및 상기 제 1 산화아연 층을 열처리하는 단계;
를 포함하고,
상기 p-도펀트가 인(P), 질소(N), 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 세슘(Cs), 안티몬(Sb), 납(Pb), 비소(As), 구리(Cu)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이고, 상기 도펀트층과 상기 제 1 산화아연 층이 면접하도록 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 열처리가 200 ℃ 내지 900 ℃의 온도에서 20분 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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17
제 15 항에 있어서, 상기 도펀트 층을 기판 위에 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제 1 산화아연층이 상기 도펀트층 위에 직접 접촉되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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18
제 15 항에 있어서, 상기 제 1 산화아연층을 기판 위에 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 도펀트층이 상기 제 1 산화아연층 위에 직접 접촉되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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19
제 17 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계가 상기 제 1 산화아연층의 상기 도펀트층과 접촉하는 쪽에 p-형 산화아연층이 형성되고 그 반대쪽에 n-형 산화아연층이 잔존하도록 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 열처리가 400 ℃ 내지 900 ℃의 온도에서 20분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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삭제
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제 15 항에 있어서, 상기 제 1 산화아연 층의 형성이 불활성기체/O2 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 22 항에 있어서, 상기 불활성기체와 O2의 몰비가 99 : 1 내지 50 : 50인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 도펀트층의 도펀트 농도가 1018 내지 1022 /cm3인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 24 항에 있어서, 상기 도펀트층의 도펀트 농도가 1018 내지 1020 /cm3인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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