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압전 소자 마이크로폰, 스피커, 마이크로폰-스피커 일체형장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015083310
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판 및 상기 실리콘 기판의 상부에 증착되는 절연막, 상기 절연막의 상부에 형성되는 압전판 및 상기 압전판의 상부에 형성되는 맞물림 전극을 포함하되 상기 맞물림 전극은 극성이 직렬로서 배치되도록 패턴 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 소자 마이크로폰, 마이크로 스피커 및 마이크로폰-스피커 일체형 디바이스를 제공할 수 있다. 압전 소자, 마이크로폰, 마이크로 스피커
Int. CL H04R 17/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070133464 (2007.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0931578-0000 (2009.12.04)
공개번호/일자 10-2009-0065918 (2009.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20091214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.18)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김혜진 대한민국 대전 유성구
2 이성규 대한민국 대전 유성구
3 이상균 대한민국 광주 광산구
4 이재우 대한민국 대전 유성구
5 박강호 대한민국 대전 유성구
6 김종대 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)바이브 서울특별시 구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0910995-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0039550-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0364517-90
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0653368-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0653391-88
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0491792-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성된 압전판; 및 상기 압전판 상에 형성되며 극성이 직렬을 이루도록 패턴 형성된 맞물림 전극 을 포함하는 압전 소자 마이크로 폰
2 2
제 1항에 있어서, 상기 절연막이 노출되도록 상기 실리콘 기판의 하부가 식각된 압전 소자 마이크로 폰
3 3
제 1항에 있어서, 상기 절연막은, 규소, 산화 규소 계열 물질 및 질화 규소 계열 물질 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 압전 소자 마이크로 폰
4 4
제 1항에 있어서, 상기 압전판은, PZT, PMN-PT, PVDF, ZnO, AlN 및 Lead-free 압전체 중 어느 하나의 물질이 단층으로 형성된 압전 소자 마이크로 폰
5 5
제 1항에 있어서, 상기 맞물림 전극은, 상기 압전판의 중심 영역 및 외곽 영역 중 적어도 어느 한 부분에 형성된 압전 소자 마이크로 폰
6 6
실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성되며 중심 영역이 외곽 영역보다 두꺼운 압전판; 및 상기 압전판 상의 중심 영역에 형성된 맞물림 전극 을 포함하는 압전 소자 스피커
7 7
제 6항에 있어서, 상기 절연막이 노출되도록 상기 실리콘 기판의 하부가 식각된 압전 소자 스피커
8 8
제 6항에 있어서, 상기 절연막은, 규소, 산화 규소 계열 물질 및 질화 규소 계열 물질 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 압전 소자 스피커
9 9
제 6항에 있어서, 상기 압전판은, PZT, PMN-PT, PVDF, ZnO, AlN 및 Lead-free 압전체 중 어느 하나의 물질이 단층으로 형성된 압전 소자 스피커
10 10
하나의 실리콘 기판 위에 형성된 상기 제 1항의 압전 소자 마이크로 폰 및 상기 제 6항의 압전 소자 스피커 를 포함하는 압전 소자 마이크로 폰-스피커 일체형 장치
11 11
실리콘 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 압전판을 형성하는 단계; 및 상기 압전판 상에 극성이 직렬을 이루도록 맞물림 전극을 패턴 형성하는 단계 를 포함하는 압전 소자 마이크로 폰 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 압전판을 형성하는 단계는, 에폭시 계열 접착제를 이용하여 상기 압전판을 접착하거나, 졸-겔(sol-gel) 법을 이용하여 상기 압전판을 증착하는 단계인 압전 소자 마이크로 폰 제조 방법
13 13
실리콘 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 중심 영역이 외곽 영역보다 두꺼운 압전판을 형성하는 단계; 및 상기 압전판 상의 중심 영역에 맞물림 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 압전 소자 스피커 제조 방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 압전판을 형성하는 단계는, 기계적 연마 방법 또는 유도 결합형 플라즈마를 이용한 건식 식각 방법을 이용하여 정해진 패턴에 따라 상기 압전판을 식각함으로써 상기 중심 영역이 상기 외곽 영역보다 두껍도록 형성하는 단계인 압전 소자 스피커 제조 방법
15 15
제 13항에 있어서, 상기 맞물림 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 외곽 영역에 존재하는 상기 압전판을 식각하여 제거하는 단계 를 더 포함하는 압전 소자 스피커 제조 방법
16 16
제 15항에 있어서, 상기 절연막 상의 외곽 영역을 패턴에 따라 식각하는 단계; 및 상기 식각에 의하여 식각된 패턴 내부에 고무 필름 또는 수지 성분의 고탄성 막을 충전하는 단계 를 더 포함하는 압전 소자 스피커 제조 방법
17 17
제 13항에 있어서, 상기 압전판을 형성하는 단계는, 에폭시 계열 접착제를 이용하여 상기 압전판을 접착하거나, 졸-겔(sol-gel) 법을 이용하여 상기 압전판을 증착하는 단계인 압전 소자 스피커 제조 방법
18 18
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1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈