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저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기

  • 기술번호 : KST2015083680
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기에 관한 것으로, 본 발명에 따른 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기는, 바이폴라 트랜지스터에 저항을 각각 병렬로 연결하여 전압 강하 폭을 최소화하고, 출력단의 저항을 변화시켜 온도변수가 제로의 값을 갖도록 함으로써, 낮은 전원전압에서도 온도변화에 무관한 안정된 기준전압을 제공할 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기는, 피드백 증폭기의 입출력단에서 입력 전압 및 출력 전압의 스위칭을 통해 오프셋 노이즈로 인한 기준전압의 변화율을 최소화함으로써 정확한 기준전압을 제공할 수 있는 것을 특징으로 한다. 저전압, 기준전압, 트랜지스터, 저항, 전압 변조, 스위칭
Int. CL G05F 3/24 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020070116509 (2007.11.15)
출원인 한국전자통신연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0901769-0000 (2009.06.02)
공개번호/일자 10-2009-0050204 (2009.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20090611) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.15)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노정진 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 노형동 대한민국 서울특별시 서초구
3 김형중 대한민국 서울특별시 관악구
4 김이경 대한민국 대전시 유성구
5 권종기 대한민국 대전시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0819352-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.02.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0008288-85
5 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0229418-90
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트와 소스가 공통으로 제1 노드 및 전원단자에 각각 연결되고, 드레인이 제2, 3, 4 노드에 각각 연결되며, 전류 미러의 형태로 이루어진 제1 내지 제3 PMOS 트랜지스터; 전류 미러의 형태로 이루어진 제4, 5 PMOS 트랜지스터와 제6, 7 NMOS 트랜지스터로 구성되며, 상기 제6, 7 NMOS 트랜지스터의 게이트에 비반전 및 반전 입력전압이 각각 입력되고, 상기 제4, 5 PMOS 트랜지스터의 드레인으로부터 비반전 및 반전 출력전압이 각각 출력되는 피드백 증폭기; 상기 제2 노드와 제5 노드 사이에 접속되는 제1 저항; 상기 제2, 3, 4 노드와 접지 사이에 각각 접속되는 제2, 3, 4 저항; 상기 제2 저항과 병렬로 연결되며, 에미터가 상기 제5 노드에 연결되고 콜렉터와 베이스가 접지되는 제1 바이폴라 트랜지스터; 및 상기 제3 저항과 병렬로 연결되며, 에미터가 상기 제3 노드에 연결되고 콜렉터와 베이스가 접지되는 제2 바이폴라 트랜지스터를 포함하며, 상기 제4 노드와 접지 사이의 전압을 기준전압으로 사용하는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기준전압은 0 내지 1V 이하의 전압값을 갖는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기준전압이 온도변화에 무관한 전압값을 갖도록 상기 제4 저항의 저항값이 조절되는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제4, 5 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 전원단자에 공통으로 연결되고, 게이트는 서로 연결되며, 드레인은 상기 제6, 7 NMOS 트랜지스터의 드레인에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제6, 7 NMOS 트랜지스터의 게이트에 접속되어 상기 비반전 입력전압과 반전 입력전압을 교차시켜 변조하는 제1 전압 변조부; 상기 제4, 5 PMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되어 상기 비반전 출력전압과 반전 출력전압을 교차시켜 변조하는 제2 전압 변조부; 및 상기 제4 노드와 접지 사이에 접속되며, 상기 제4 노드의 전압에서 저주파 신호를 통과시키는 저주파 통과 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
6 6
제 5항에 있어서, 상기 제1 전압 변조부는, 게이트에 제1, 2 클럭이 각각 인가되는 스위치 형태로 이루어진 제8, 9 PMOS 트랜지스터; 및 게이트에 제1, 2 클럭이 각각 인가되는 스위치 형태로 이루어진 제10, 11 PMOS 트랜지스터를 포함하며, 상기 제8, 9 PMOS 트랜지스터의 소스와 상기 제10, 11 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 제6, 7 NMOS 트랜지스터의 게이트에 공통으로 연결되는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
7 7
제 5항에 있어서, 상기 제2 전압 변조부는, 게이트에 제1, 2 클럭이 각각 인가되는 스위치 형태로 이루어진 제12, 13 PMOS 트랜지스터; 및 게이트에 제1, 2 클럭이 각각 인가되는 스위치 형태로 이루어진 제14, 15 PMOS 트랜지스터를 포함하며, 상기 제12, 13 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제14, 15 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 제4, 5 PMOS 트랜지스터의 드레인에 공통으로 연결되는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
8 8
제 6항에 있어서, 상기 제1 전압 변조부는, 상기 비반전 입력전압과 반전 입력전압을 교차시켜 상기 비반전 입력전압과 반전 입력전압의 주파수가 상기 제1, 2 클럭 주파수의 홀수 고조파로 변조되도록 하는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
9 9
제 7항에 있어서, 상기 제2 전압 변조부는, 상기 비반전 출력전압과 반전 출력전압을 교차시켜 상기 비반전 출력전압과 반전 출력전압의 주파수가 상기 비반전 입력전압 및 반전 입력전압의 주파수 특성으로 복원되도록 하는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
10 10
제 9항에 있어서, 상기 제2 전압 변조부는 상기 피드백 증폭기의 비반전 오프셋 전압과 반전 오프셋 전압을 교차시켜 상기 비반전 오프셋 전압과 반전 오프셋 전압의 주파수가 상기 제1, 2 클럭 주파수의 홀수 고조파로 변조되도록 하는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
11 11
제 10항에 있어서, 상기 제1, 2 클럭 주파수의 홀수 고조파로 변조된 비반전 오프셋 전압 및 반전 오프셋 전압은 상기 저주파 통과 필터에서 필터링되는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
12 12
제 5항에 있어서, 상기 저주파 통과 필터는, 상기 제4 저항에 커패시터가 병렬로 연결되어 구성된 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
13 13
제 1항에 있어서, 게이트에 바이어스 전압이 인가되는 제16 NMOS 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 제16 NMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 제6, 7 NMOS 트랜지스터의 소스에 공통으로 연결되고, 소스는 접지에 연결되는 것을 특징으로 하는 저전압 고정밀도 밴드갭 기준전압 발생기
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1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈