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고속 고분자 구동기의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015083798
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속 고분자 구동기의 제조방법 및 이로부터 얻은 고속 고분자 구동기에 관한 것으로, 플라즈마 처리 공정을 이용하여 이온 전도성 고분자막의 표면이 균일하게 되도록 표면 처리함으로써, 기존의 샌드 블라스팅(sand blasting), 샌드 페이퍼(sand paper) 등의 표면 처리를 거쳐 제작된 고분자 구동기보다 균일한 표면을 갖게 되어 고분자막의 팽창과 수축이 쉽게 이루어지므로, 이에 따라 반응속도가 빠르며 고변위를 갖는 고분자 구동기를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 41/08 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01)
CPC H01L 21/2885(2013.01) H01L 21/2885(2013.01) H01L 21/2885(2013.01)
출원번호/일자 1020070113105 (2007.11.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0924772-0000 (2009.10.27)
공개번호/일자 10-2009-0047096 (2009.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20091105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.07)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최낙진 대한민국 대전광역시 유성구
2 이형근 대한민국 대전시 유성구
3 박강호 대한민국 대전광역시 유성구
4 김종대 대한민국 대전광역시 유성구
5 이선영 대한민국 대전광역시 유성구
6 정선경 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0798893-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0081293-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0168103-59
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0332280-23
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0332272-68
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0358932-38
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.09.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0047749-11
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0439301-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이온 전도성 고분자막의 표면이 균일하게 되도록 상기 이온 전도성 고분자막을 섀도 마스크, 포토 레지스트, 나노임프린트 중 어느 하나를 이용하여 비등방 플라즈마 처리한 후 상기 비등방 플라즈마 처리를 거친 이온 전도성 고분자막을 등방 플라즈마 처리하는 단계; 상기 이온 전도성 고분자막의 양면에 금속 전극을 흡착하는 단계; 상기 이온 전도성 고분자막의 양면에 고분자 금속 복합물을 환원하는 단계; 및 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 고분자 구동기의 제조방법
2 2
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3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 비등방 플라즈마 처리를 거친 이온 전도성 고분자막은 큰 우물(trench)형태로 식각된 형태의 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 고속 고분자 구동기의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 등방 플라즈마 처리를 거친 이온 전도성 고분자막은 작은 기둥들이 반복적으로 패터닝된 형태의 균일한 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 고속 고분자 구동기의 제조방법
7 7
삭제
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1 JP04819100 JP 일본 FAMILY
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2009118726 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4819100 JP 일본 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품/모듈