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MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015083818
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커는 기판; 상기 기판 상에 형성된 탄성 박막; 상기 탄성 박막 상에 형성된 압전체층; 상기 압전체층의 상부 또는 상, 하부에 형성된 전극층; 및 상기 기판의 하부가 식각되어 노출된 상기 탄성 박막의 하부에 형성되어 공진 주파수를 변경시키는 공진 변경부를 포함한다. 그럼으로써, 제작이 용이하며, 마이크로스피커의 출력 음압의 갑작스러운 변동을 줄이고, 출력 음압의 음량을 높이고, 공진 주파수에 의한 잡음이 최소화되는 마이크로 스피커를 제공할 수 있는 이점이 있다. MEMS, 압전 마이크로 스피커, 공진
Int. CL H04R 31/00 (2006.01) H04R 19/04 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070126788 (2007.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0931575-0000 (2009.12.04)
공개번호/일자 10-2009-0059756 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20091214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.07)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상균 대한민국 광주 광산구
2 이성규 대한민국 대전 유성구
3 김혜진 대한민국 대전 유성구
4 이재우 대한민국 대전 유성구
5 박강호 대한민국 대전 유성구
6 김종대 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0882070-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0034678-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0364518-35
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0663929-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0663914-46
8 등록결정서
Decision to grant
2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0491799-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 탄성 박막; 상기 탄성 박막 상에 형성된 압전체층; 상기 압전체층의 상부 또는 상, 하부에 형성된 전극층; 및 상기 기판의 하부가 식각되어 노출된 상기 탄성 박막의 하부에 형성되어 공진 주파수를 변경시키는 공진 변경부 를 포함하는 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전극층은, 상기 탄성 박막과 상기 압전체층 사이에 형성된 제 1 전극층; 및 상기 압전체층 상부에 형성된 제 2 전극층 을 포함하는 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커
3 3
제 1항에 있어서, 상기 전극층은, 상기 압전체층의 상부에 형성된 빗살 무늬 전극(inter-digital electrode)인 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커
4 4
제 3항에 있어서, 상기 탄성 박막과 상기 압전체층 사이에 형성된 접착제층 을 더 포함하는 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커
5 5
제 1항에 있어서, 상기 공진 변경부는, 상기 압전체층에서 발생하는 가청 주파수대의 공진 주파수를 비가청 주파수대로 변경시키는 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커
6 6
제 1항에 있어서, 상기 공진 변경부는, 상기 기판이 패턴 식각되어 형성된 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커
7 7
제 1항에 있어서, 상기 탄성 박막은, 산화 규소 계열 물질 도는 질화 규소 계열 물질로 이루어지는 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커
8 8
제 1항에 있어서, 상기 압전체층은, PZT, PMN-PT, PVDF, ZnO, AlN 및 Lead-free 압전체 중 어느 하나의 물질로 이루어진 단층 구조이거나 Ti, Pt, PZT 및 Pt로 이루어지는 다층 구조인 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커
9 9
기판 상에 탄성 박막을 형성하는 단계; 상기 탄성 박막 상에 압전체층을 형성하는 단계; 상기 압전체층의 상부 또는 상, 하부에 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 하부를 식각하고 상기 식각에 의하여 노출된 상기 탄성 박막의 하부에 공진 주파수를 변경시키는 공진 변경부를 형성하는 단계 를 포함하는 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 전극층을 형성하는 단계는, 상기 압전체층을 형성하는 단계 이전에 상기 탄성 박막 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 압전체층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계 를 포함하는 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 제조 방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 전극층을 형성하는 단계는, 상기 압전체층의 상부에 빗살 무늬(inter-digital) 형태로 상기 전극층을 형성하는 단계인 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 압전체층을 형성하는 단계 이전에, 상기 탄성 박막 상에 접착제층을 형성하는 단계 를 더 포함하는 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 제조 방법
13 13
제 9항에 있어서, 상기 공진 변경부를 형성하는 단계는, DRIE 건식 식각 방법 또는 KOH 습식 식각 방법을 이용하여 상기 기판의 하부를 패턴 식각함으로써 상기 공진 변경부를 형성하는 단계인 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 제조 방법
14 14
제 9항에 있어서, 상기 압전체층을 형성하는 단계는, 에폭시 계열 접착제를 이용하여 상기 압전체층을 접착하거나 sol-gel법을 이용하여 상기 압전체층을 증착하는 단계인 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 제조 방법
15 15
제 9항에 있어서, 상기 공진 변경부를 형성하는 단계에서, 상기 기판의 하부의 식각은 적어도 2단계로 분리하여 진행하는 MEMS를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 제조 방법
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1 US2009146527 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7812505 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈