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ｐ－ｎ 접합 다이오드를 포함하는 기판을 구비한 염료감응태양전지

  • 기술번호 : KST2015083831
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판으로서 p-n 접합 다이오드를 포함하는 탬덤 구조를 사용하는 염료감응 태양전지에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 제1 전도성 기판 위에 형성된 반도체 전극과, 제2 전도성 기판 위에 형성된 대향 전극과, 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함한다. 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판 중 적어도 1 개의 기판은 p-n 접합 다이오드를 포함한다. 염료감응 태양전지, p-n 접합 다이오드, 기판, 탠덤
Int. CL H01L 31/072 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01G 9/2068(2013.01) H01G 9/2068(2013.01) H01G 9/2068(2013.01) H01G 9/2068(2013.01) H01G 9/2068(2013.01) H01G 9/2068(2013.01) H01G 9/2068(2013.01)
출원번호/일자 1020070119319 (2007.11.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0052696 (2009.05.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.21)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전용석 대한민국 대전 유성구
2 이승엽 대한민국 경북 경산시
3 윤호경 대한민국 서울 마포구
4 강만구 대한민국 대전 유성구
5 김종대 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0838408-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0068431-79
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0361313-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0653009-62
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0653010-19
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0056044-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전도성 기판 위에 형성된 반도체 전극과, 제2 전도성 기판 위에 형성된 대향 전극과, 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하고, 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판 중에서 선택되는 어느 하나는 p-n 접합 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판 중에서 선택되는 어느 하나는 상기 p-n 접합 다이오드와, 상기 p-n 접합 다이오드 위에 형성된 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 p-n 접합 다이오드는 p형 CIS (CuInSe2) 화합물 반도체층, n형 CdS층, 및 n형 ZnO:Al층이 차례로 적층된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
4 4
제2항에 있어서, 상기 p-n 접합 다이오드는 p형 a-Si층, i형 a-Si층, 및 n형 a-Si층이 차례로 적층된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
5 5
제2항에 있어서, 상기 도전층은 FTO (fluorine-doped tin oxide) 또는 ITO (indium tin oxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 전도성 기판은 p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 상기 p-n 접합 다이오드와, 상기 p형 반도체층과 접하도록 상기 p-n 접합 다이오드 위에 형성된 제1 도전층을 포함하고, 상기 반도체 전극은 상기 제1 도전층과 접하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 제2 전도성 기판은 p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 상기 p-n 접합 다이오드와, 상기 n형 반도체층과 접하도록 상기 p-n 접합 다이오드 위에 형성된 제2 도전층을 포함하고, 상기 대향 전극은 상기 제2 도전층과 접하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판 중에서 선택되는 어느 하나는 투명 기판과, 상기 투명 기판 위에 형성된 제1 도전층과, 상기 제1 기판 전극층 위에 형성된 상기 p-n 접합 다이오드와, 상기 p-n 접합 다이오드 위에 형성된 제2 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 도전층 및 제2 도전층은 각각 FTO 또는 ITO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
10 10
제8항에 있어서, 상기 제1 도전층은 Mo로 이루어지고, 상기 제2 도전층은 FTO 또는 ITO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
11 11
제1 전도성 기판 위에 형성된 반도체 전극과, 제2 전도성 기판 위에 형성된 대향 전극과, 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하고, 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판은 각각 p-n 접합 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
12 12
제11항에 있어서, 상기 p-n 접합 다이오드는 p형 CIS (CuInSe2) 화합물 반도체층, n형 CdS층, 및 n형 ZnO:Al층이 차례로 적층된 제1 p-n 접합 다이오드와, p형 a-Si층, i형 a-Si층, 및 n형 a-Si층이 차례로 적층된 제2 p-n 접합 다이오드 중에서 선택되는 어느 하나의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판은 각각 서로 다른 p-n 접합 다이오드 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
14 14
제12항에 있어서, 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판은 서로 동일한 p-n 접합 다이오드 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009066848 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2009066848 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈