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포토닉스 소자

  • 기술번호 : KST2015083881
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스타 커플러 영역 및 전이 영역을 갖는 기판, 기판 상에 형성된 하부 코어층 및 기판 상에 형성되어 도파로를 정의하는 상부 코어 패턴들을 구비하는 포토닉스 소자를 제공한다. 이때, 상부 코어 패턴들은 전이 영역에서 하부 코어층의 상부에 배치됨으로써, 전이 영역은 복층 코어 구조를 갖는다.
Int. CL G02B 6/293 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070128861 (2007.12.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0927657-0000 (2009.11.12)
공개번호/일자 10-2009-0061876 (2009.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20091120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.12)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송정호 대한민국 대전 유성구
2 김덕준 대한민국 대전 서구
3 김기수 대한민국 대전 유성구
4 임영안 대한민국 대전 유성구
5 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0892511-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0002622-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0360836-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0644225-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0644227-08
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0448669-68
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스타 커플러 영역 및 전이 영역을 갖는 기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 코어층; 및 상기 기판 상에 형성되어 도파로를 정의하는 상부 코어 패턴들을 구비하되, 상기 상부 코어 패턴들은 상기 전이 영역에서 상기 하부 코어층의 상부에 배치됨으로써, 상기 전이 영역은 복층 코어 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴들 내에서의 광 세기 분포는 상기 스타 커플러 영역에 가까울수록 감소되고, 상기 하부 코어층 내에서의 광 세기 분포는 상기 스타 커플러 영역에 가까울수록 증가되는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴들은 상기 스타 커플러 영역에 가까울수록 좁은 폭을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴들은 상기 하부 코어층보다 높은 굴절률을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴들은 상기 하부 코어층보다 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴의 측벽은 복수개의 부분 측벽들로 구성되되, 상기 부분 측벽들은 서로 다른 각도를 갖는 평면(flat plane)이면서, 마주보는 한 쌍의 부분 측벽들은 상기 스타 커플러 영역에 가까울수록 서로 가까워지는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
7 7
제 3 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴은 상기 스타 커플러 영역에 가까울수록 가까워지는 곡면의 측벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 하부 코어층 및 상기 상부 코어 패턴들을 둘러싸는 적어도 하나의 클래드층을 더 포함하되, 상기 하부 코어층 및 상기 상부 코어 패턴들은 상기 클래드층보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 하부 코어층은 상기 도파로의 하부에서 상기 기판을 노출시키는 적어도 하나의 개구부를 형성하고, 상기 개구부는 상기 클래드층으로 채워지는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴들 내에서의 광 세기 분포는 상기 개구부의 측벽에 가까울수록 증가되고, 상기 하부 코어층 내에서의 광 세기 분포는 상기 개구부의 측벽에 가까울수록 감소되는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴은 상기 개구부의 측벽에 가까울수록 넓은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
12 12
적어도 하나의 입력 도파로; 복수개의 배열 도파로들; 및 복수개의 출력 도파로들을 구비하되, 상기 입력, 배열 및 출력 도파로들은 상부 코어 패턴들로 형성되면서 서로 이격됨으로써, 그 틈 사이에 입력 스타 커플러 영역 및 출력 스타 커플러 영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 입력 및 출력 스타 커플러 영역들에 배치되어, 상기 입력, 배열 및 출력 도파로들 사이의 광 전송을 가능하게 하는 하부 코어층을 더 구비하는 포토닉스 소자
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 하부 코어층은 상기 입력 및 출력 스타 커플러 영역들로부터 상기 입력, 배열 및 출력 도파로들의 하부로 연장되는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
15 15
제 12 항에 있어서, 상기 입력 및 배열 도파로들 중의 적어도 하나는 상기 입력 스타 커플러 영역에 가까울수록 좁은 폭을 갖고, 상기 배열 및 출력 도파로들 중의 적어도 하나는 상기 출력 스타 커플러 영역에 가까울수록 좁은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
16 16
제 13 항에 있어서, 상기 입력 도파로, 상기 배열 도파로들 및 상기 하부 코어층은 상기 입력 도파로로부터 입사되는 입사광을 상기 배열 도파로로 분배시키는 입력 스타 커플러를 구성하고, 상기 배열 도파로들, 상기 출력 도파로들 및 상기 하부 코어층은 상기 입사광을 그 파장에 따라 다른 출력 도파로로 포커싱하는 출력 스타 커플러를 구성하는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
17 17
제 13 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴들은 상기 하부 코어층보다 높은 굴절률을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
18 18
제 13 항에 있어서, 상기 상부 코어 패턴들은 상기 하부 코어층보다 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
19 19
제 13 항에 있어서, 상기 하부 코어층은 상기 입력, 배열 및 출력 도파로들 중의 적어도 하나의 하부에서 단절되는 개구부를 갖되, 상기 상부 코어 패턴은 상기 개구부의 측벽에 가까울수록 넓은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 포토닉스 소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC