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알루미늄 함유 산화물;
아연 함유 산화물;
인듐 함유 산화물: 및
주석 함유 산화물을 포함하며, 비정질 상태인 산화물 반도체 박막용 조성물
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제 1항에 있어서,
상기 알루미늄 함유 산화물, 아연 함유 산화물, 인듐 함유 산화물 및 주석 함유 산화물의 금속 성분의 비율은 아연 30 내지 95at%, 인듐 1 내지 65at%, 주석 1 내지 50at%이고 나머지 성분은 알루미늄인 반도체 박막용 조성물
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제 1항에 있어서,
상기 알루미늄 함유 산화물은 Al2O3이며, 아연 함유 산화물은 ZnO이며, 인듐 함유 산화물은 In2O3이고, 주석 함유 산화물은 SnO2인 산화물 반도체 박막용 조성물
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4
기판 상에 소스/드레인 전극, 게이트 절연막, 활성층, 게이트 전극을 구비한 전계 효과 트랜지스터에 있어서,
상기 활성층은 알루미늄, 아연, 인듐 및 주석을 포함하는 비정질 상태인 산화물을 포함하고,
상기 소스/드레인 전극 또는 상기 게이트 전극 중 적어도 한 개는 가시광에 투명한 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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제 4항에 있어서,
상기 산화물 중의 금속 성분의 비율이 아연 30 내지 95at%, 인듐 1 내지 65at%, 주석 1 내지 50at%이고 나머지 성분은 알루미늄 조성인 전계 효과 트랜지스터
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제 4항에 있어서,
상기 알루미늄 함유 산화물은 Al2O3이며, 아연 함유 산화물은 ZnO이며, 인듐 함유 산화물은 In2O3이고, 주석 함유 산화물은 SnO2 유형인 전계 효과 트랜지스터
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7
제 4항에 있어서, 상기 활성층의 알루미늄 또는 인듐 및 주석의 함량에 따라서 박막의 전기적 물성이 제어되는 것인 전계 효과 트랜지스터
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제 4항에 있어서,
상기 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 순차적으로 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스/드레인 전극 및 활성층이 형성되어 있는 하부 게이트 코-플래너형 구조인 전계 효과 트랜지스터
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제 4항에 있어서,
상기 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 순차적으로 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층 및 소스/드레인 전극이 형성되어 있는 하부 게이트 스태거드형 구조인 전계 효과 트랜지스터
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10
제 4항에 있어서,
상기 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 순차적으로 소스/드레인 전극, 활성층, 게이트 절연층 및 게이트 전극이 형성되어 있는 상부 게이트 코-플래너형 구조인 전계 효과 트랜지스터
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11
제 4항에 있어서,
상기 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 순차적으로 활성층, 소스/드레인 전극, 게이트 절연층 및 게이트 전극이 형성되어 있는 상부 게이트 스태거드형 구조인 전계 효과 트랜지스터
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12
기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층 및 소스/드레인 전극을 형성하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서,
상기 활성층은 알루미늄, 아연, 인듐 및 주석을 포함하는 비정질 상태인 산화물을 이용하여 상온 내지 300℃의 온도에서 증착되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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13
제 12항에 있어서, 상기 활성층의 증착은 RF 또는 DC 마그네트론 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법, 열증착법 또는 화학증착법으로 수행되는 것인 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 300℃ 이하의 온도에서 후열처리되는 것인 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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15
제 12항에 있어서, 상기 활성층의 형성시 챔버 내의 산소 분압의 변화에 따라 전기적 물성이 제어되는 것인 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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