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흡수 광변조기 및 그것의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015084483
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 흡수 광변조기에 관한 것이다. 본 발명의 흡수 광변조기는, 기판, 상기 기판 위에 형성된 절연층, 및 상기 절연층 위에 형성된 P-I-N 다이오드 구조의 도파로를 포함하되, 상기 도파로에 입력된 빛의 변조 동작시 상기 P-I-N 다이오드의 진성 영역의 흡수율이 변화되는 것을 특징으로 한다. 특히, 본 발명의 흡수 광변조기는 P-I-N 다이오드의 단면적을 크게 줄여 고속, 저전력소모, 소형의 특징을 얻을 수 있게 된다. 손실, 광변조기, 흡수율, 프리-엠퍼시스
Int. CL H01L 31/00 (2006.01) H01L 29/868 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080125330 (2008.12.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1239134-0000 (2013.02.26)
공개번호/일자 10-2010-0066842 (2010.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정우 대한민국 대전광역시 유성구
2 유종범 대한민국 경기도 성남시 중원구
3 김경옥 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0850733-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2012-0003311-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0035516-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0178932-18
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0178931-62
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0480283-82
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0732755-73
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0116136-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 형성된 절연층; 및상기 절연층 위에 형성된 P-I-N 다이오드 구조의 도파로를 포함하되,상기 P-I-N 다이오드는 상기 절연층 상의 진성 영역, 상기 진성 영역의 양단에 P형 영역, 및 상기 진성 영역의 상단에 N형 영역을 포함하고,상기 도파로에 입력된 빛의 변조 동작시 상기 P-I-N 다이오드의 진성 영역의 흡수율이 변화되도록, 상기 P-I-N 다이오드에 임펄스 형태의 전압 혹은 전류가 과도 영역에서 인가되는 것을 특징으로 하는 흡수 광변조기
2 2
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3 3
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6 6
제 1 항에 있어서,상기 도파로는 포토닉 결정 도파로이며, 빛의 진행 속도를 느리게 함으로써 상기 진성 영역의 흡수율을 높이는 것을 특징으로 하는 흡수 광변조기
7 7
제 1 항에 있어서,상기 도파로는 외부의 도파로와 연결하기 위한 수직형 그래이팅 커플러를 결합하는 것을 특징으로 하는 흡수 광변조기
8 8
제 1 항에 있어서,상기 절연층은 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 흡수 광변조기
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 벌크 기판이며,상기 도파로는 상기 벌크 기판에 불순물을 선택적으로 주입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 흡수 광변조기
10 10
제 1 항에 있어서,상기 흡수 광변조기는 다른 소자들과 하나의 기판 위에 집적되는 것을 특징으로 하는 흡수 광변조기
11 11
제 1 항에 있어서,상기 도파로는 단일 모드 동작을 위해서 리브 도파로인 것을 특징으로 하는 흡수 광변조기
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제 11 항에 있어서,상기 리브 도파로는,반도체층이 식각되고 남은 돌출부; 및상기 돌출부 양단에 형성된 슬레이브들을 포함하는 흡수 광변조기
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제 12 항에 있어서,상기 슬레이브들에 P형 도핑을 수행하고, 상기 돌출부의 상단에 N형 도핑을 수행하는 것을 특징으로 하는 흡수 광변조기
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1 US08180184 US 미국 FAMILY
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1 US2010142878 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8180184 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC