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실리콘 포토닉스 칩

  • 기술번호 : KST2015059695
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 소자로부터 열적으로 분리된 실리콘 포토닉스 칩이 제공된다. 이 실리콘 포토닉스 칩은 실리콘 기판 상에 집적된 광전 소자들을 포함하고, 광전 소자들은, 신호광 생성 장치로부터 입사되는 적어도 하나의 신호광을 광학적으로 가이드하여 실리콘 포토닉스 칩 내부로 전송해 주는 광연결 장치를 포함할 수 있다. 이때, 신호광 생성 장치는 광전 소자들로부터 열적으로는 분리되고 광학적으로는 연결되도록 구성될 수 있다.
Int. CL G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090121080 (2009.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1296833-0000 (2013.08.08)
공개번호/일자 10-2011-0064461 (2011.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20130814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.08)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도원 대한민국 대전광역시 서구
2 김경옥 대한민국 서울특별시 강남구
3 표정형 대한민국 서울특별시 마포구
4 김덕준 대한민국 대전광역시 서구
5 김인규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세진하이메탈 주식회사 울산광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0756782-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0009914-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0111289-35
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0330720-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0330721-48
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0538079-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상에 집적된 광전 소자들을 포함하되, 상기 광전 소자들은, 신호광 생성 장치로부터 입사되는 적어도 하나의 신호광을 광학적으로 가이드하여 상기 실리콘 기판 내부로 전송하는 광연결 장치를 포함하되, 상기 신호광 생성 장치는 상기 광전 소자들로부터 페룰 구조체에 의해 열적으로는 분리(thermally separated)되고 광학적으로는 연결(optically connected)되는 실리콘 포토닉스 칩
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 실리콘 포토닉스 칩은, 적어도 하나의 내부 광섬유를 포함하면서 상기 광연결 장치에 광학적으로 정렬되는, 내부 페룰(Ferrule)을 포함하되, 상기 내부 페룰은, 상기 신호광 생성 장치로부터 입사되는 상기 적어도 하나의 신호광을 가이드하는, 외부 페룰에 광학적으로 정렬되는 실리콘 포토닉스 칩
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 외부 페룰은 상기 신호광 생성 장치와 상기 실리콘 포토닉스 칩 사이의 광학적 연결 경로를 제공하는 적어도 하나의 외부 광섬유 및 상기 내부 페룰과의 물리적 연결을 가능하게 하는 외부 정합 수단을 포함하되, 상기 내부 페룰은, 상기 외부 페룰에 형성된 외부 정합 수단에 물리적으로 정합하도록 구성되어 상기 내부 광섬유와 상기 외부 광섬유 사이의 광학적 정렬을 가능하게 하는, 내부 정합 수단을 포함하는 실리콘 포토닉스 칩
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 내부 페룰은 상기 실리콘 기판의 상부면 법선에 대해 1 내지 20도의 경사각을 갖도록 형성되는 실리콘 포토닉스 칩
5 5
청구항 2에 있어서, 상기 내부 광섬유는 코어 확장 광섬유인 실리콘 포토닉스 칩
6 6
청구항 2에 있어서, 상기 내부 광섬유는 렌즈드 광섬유(lensed fiber)인 실리콘 포토닉스 칩
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 광연결 장치는 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 회절 결합기(grating coupler)인 실리콘 포토닉스 칩
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 실리콘 기판은 그루브 영역을 정의하는 실리콘 패턴 및 상기 그루브 영역 내에 형성되어 상기 광전 소자들 중의 하나로 연장되는 도파로를 포함하되, 상기 실리콘 패턴은 상기 실리콘 기판의 상부면에 대해 경사지게 형성되는 측벽을 포함하고, 상기 실리콘 패턴의 경사진 측벽은 상기 신호광을 상기 도파로로 가이드하는 상기 광연결 장치로서 사용되는 실리콘 포토닉스 칩
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
청구항 1에 있어서, 상기 광전 소자들은 변조기(modulator), 다중화 장치(MUX), 역다중화 장치(DEMUX) 및 수광 장치를 더 포함하되, 상기 변조기는 전기적인 방법을 사용하여 상기 광연결 장치로부터 입사되는 적어도 하나의 신호광의 광학적 특성을 변화시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩
12 12
청구항 1에 있어서, 상기 실리콘 포토닉스 칩은 적어도 하나의 내부 광섬유를 포함하면서 상기 광연결 장치에 광학적으로 정렬되는 내부 페룰(Ferrule)을 포함하되,상기 신호광 생성 장치는 도전성 배선들이 형성된 플랙시블 인쇄회로기판을 이용하여 상기 내부 페룰 상에 패키징되고, 상기 내부 광섬유에 광정렬되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩
13 13
청구항 1에 있어서, 상기 실리콘 포토닉스 칩은 적어도 하나의 내부 광섬유를 포함하면서 상기 광연결 장치에 광학적으로 정렬되는 내부 페룰(Ferrule)을 포함하고,상기 실리콘 기판의 하부에 배치되어 상기 광전 소자들과 전기적으로 연결되는 인쇄회로기판 및 상기 실리콘 기판의 상부에 배치되어 상기 광전 소자들을 덮으면서 상기 내부 페룰을 노출시키는 보호 수단을 더 포함하되, 상기 보호 수단은 접착 수단을 이용하여 상기 내부 페룰의 측벽에 접착되고 고정 수단을 이용하여 상기 인쇄회로 기판에 고정되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 보호 수단의 상부면은 상기 내부 페룰의 상부면보다 높은 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩
15 15
실리콘 기판 상에 집적된 광전 소자들을 포함하되, 상기 광전 소자들은, 신호광 생성 장치로부터 입사되는 적어도 하나의 신호광을 광학적으로 가이드하여 상기 실리콘 기판 내부로 전송하는 광연결 장치를 포함하되, 상기 신호광 생성 장치는 상기 실리콘 기판 상에 배치되되, 상기 신호광 생성 장치와 상기 실리콘 기판 사이에는 열 제어 수단이 더 배치되고,상기 광 연결 장치는 상기 신호광 생성 장치와 상기 광전 소자들 사이에 배치되는 마이크로 렌즈인 실리콘 포토닉스 칩
16 16
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1 US20110135252 US 미국 FAMILY

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1 US2011135252 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC