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센서용 산화물 반도체 나노섬유 제조 방법 및 그를 이용한 가스 센서

  • 기술번호 : KST2015084492
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 환경유해가스 센서에 대한 것으로서, 이 센서는 절연 기판, 상기 절연 기판 상에 형성되어 있는 금속 전극, 그리고 상기 금속 전극 상에 형성되어 있으며, 산화물 반도체 Lan+1NinO3n+1(n=1,2,3) 나노섬유를 포함하는 감지층을 포함한다. 따라서 산화물 반도체 Lan+1NinO3n+1(n=1,2,3)는 ABO3형의 기본 결정구조를 가지므로 구조적으로 안정하며, 산소결함에 의한 비화학량론적인 조성을 갖는 대표적인 물질로서 표면에 많은 산소결함을 갖기 때문에 산화물 표면에서 반응 가스 흡착 및 산화/환원 반응에 의해 큰 전기저항의 변화를 가질 수 있다.산화물 반도체, 나노섬유, 가스센서, 전기방사법
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) G01N 27/407 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080130398 (2008.12.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1191386-0000 (2012.10.09)
공개번호/일자 10-2010-0071618 (2010.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20121015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수재 대한민국 대전광역시 유성구
2 박진아 대한민국 경상남도 창원시 마산합포구
3 문제현 대한민국 대전광역시 유성구
4 정태형 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0875125-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0013101-78
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0135074-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0320342-23
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0320360-45
8 등록결정서
Decision to grant
2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0575460-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 반도체/폴리머 복합 용액을 제조하는 단계,절연 기판 상에 상기 산화물 반도체/폴리머 복합 용액을 도포하는 단계,상기 절연 기판 상에 도포된 상기 산화물 반도체/폴리머 복합 용액의 용매를 휘발시키는 1차 열처리 단계, 그리고상기 용매가 휘발된 산화물 반도체/폴리머 복합 용액의 폴리머를 제거하고 결정화시킴으로써, 산화물 반도체 Lan+1NinO3n+1(n=1,2,3) 나노섬유를 형성하는 2차 열처리 단계를 포함하는 환경유해가스 센서용 산화물 반도체 나노섬유의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체/폴리머 복합 용액을 제조하는 단계는금속 산화물 전구체, 폴리머, 용매를 소정의 무게 또는 체적비로 칭량하여 혼합하는 단계, 그리고상온 이상의 온도에서 교반하여 상기 산화물 반도체/폴리머 복합 용액을 제조하는 단계를 포함하는 환경유해가스 센서용 산화물 반도체 나노섬유의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 절연 기판 상에 상기 산화물 반도체/폴리머 복합 용액을 전기방사법으로 방사하여 도포하는 환경유해가스 센서용 산화물 반도체 나노섬유의 제조 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 산화물 반도체 Lan+1NinO3n+1(n=1,2,3)은 La2NiO4+δ, La3Ni2O7-δ, 또는 La4Ni3O10-δ 인 환경유해가스 센서용 산화물 반도체 나노섬유의 제조 방법
5 5
절연 기판,상기 절연 기판 상에 형성되어 있는 금속 전극, 그리고상기 금속 전극 상에 형성되어 있으며, 산화물 반도체 Lan+1NinO3n+1(n=1,2,3) 나노섬유를 포함하는 감지층을 포함하는 환경유해가스 센서
6 6
제5항에 있어서, 상기 기판은 Al2O3, MgO 또는 SrTiO3 인 단결정 기판, Al2O3, 석영인 세라믹 기판, 절연층이 도포된 실리콘 기판 또는 유리 기판인 환경유해가스 센서
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제5항에 있어서, 상기 금속 전극은 Pt, Ni, W, Ti 또는 Cr을 포함하는 환경유해가스 센서
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제5항에 있어서, 상기 산화물 반도체 나노섬유의 직경이 1 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 환경유해가스 센서
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제7항에 있어서, 상기 환경유해가스 센서는,상기 금속 전극과 동일평면 상에 또는 배면에 형성되어 있는 마이크로 박막히터를 더 포함하는환경유해가스 센서
지정국 정보가 없습니다
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1 JP22145388 JP 일본 FAMILY
2 US20100155691 US 미국 FAMILY

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1 JP2010145388 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2010155691 US 미국 DOCDBFAMILY
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