요약 | 본 발명은 가속도 측정 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 하나의 발열부를 이용하여 2 축 상의 가속도를 측정하기 위한 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치는, 상부에 탄성 박막이 형성된 기판; 상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 인가되는 전류에 의해 발열하는 발열부; 상기 발열부를 중심으로 서로 대칭되도록 상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 온도를 감지하는 두 쌍의 온도 감지부; 및 상기 감지된 온도를 이용하여 가속도를 측정하는 연산 회로를 포함한다. 상기와 같은 본 발명은, 한 개의 발열부를 이용하여 두 축 상의 가속도를 측정함으로써, 소자의 부피를 줄일 수 있고, 열 손실이 적은 소자를 구현할 수 있으며, 정확한 가속도의 방향과 크기를 측정할 수 있는 이점이 있다. 가속도, 열 대류 |
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Int. CL | G01P 15/00 (2006.01) G01P 5/10 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) |
CPC | G01P 1/023(2013.01) G01P 1/023(2013.01) G01P 1/023(2013.01) G01P 1/023(2013.01) G01P 1/023(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080131573 (2008.12.22) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-1072296-0000 (2011.10.05) |
공개번호/일자 | 10-2010-0072999 (2010.07.01) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20111012) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.12.22) |
심사청구항수 | 11 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이홍열 | 대한민국 | 충북 청주시 상당구 |
2 | 문승언 | 대한민국 | 대전 유성구 |
3 | 박소정 | 대한민국 | 경기 이천시 |
4 | 박강호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
5 | 김종대 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.12.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0880756-73 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.01.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.02.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0010688-96 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.03.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0128910-10 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.04.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0319697-56 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.04.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0319688-45 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0564880-32 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판; 상기 기판의 상부에 형성되며, 산화 실리콘 막(SiO2) 및 질화 실리콘 막(Si3N4)의 복합층 구조를 갖는 탄성 박막; 상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 인가되는 전류에 의해 발열하는 발열부; 상기 발열부를 중심으로 서로 대칭되도록 상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 온도를 감지하는 두 쌍의 온도 감지부; 및 상기 감지된 온도를 이용하여 가속도를 측정하는 연산 회로 를 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 온도 감지부는, 상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나는 제 1 축 상에 형성되는 한 쌍의 온도 감지부 및 상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나며 상기 제 1 축에 직교하는 제 2 축 상에 형성되는 한 쌍의 온도 감지부를 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 |
3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 온도 감지부는, 온도에 따라 저항이 변하는 물질로 이루어진 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 기판으로의 열 확산을 방지하기 위하여 상기 탄성 박막의 하면이 노출되도록 상기 기판의 중심부에 형성되는 공간 을 더 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 발열부 및 상기 온도 감지부는, 폴리 실리콘(poly silicon), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 백금(Pt) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 |
7 |
7 제 3 항에 있어서, 상기 연산 회로는, 상기 온도 감지부의 저항 변화에 따른 출력 전압의 차이 값을 이용하여 상기 가속도의 크기 및 방향을 계산하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 |
8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 연산 회로는, 상기 출력 전압의 차이 값을 증폭하는 차동 증폭 회로를 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 |
9 |
9 기판 상부에 하부 산화 실리콘 막(SiO2), 질화 실리콘 막(Si3N4) 및 상부 산화 실리콘 막(SiO2)을 순차적으로 적층하여 탄성 박막을 형성하는 단계; 상기 탄성 박막의 중심부에 발열부를 형성하는 단계; 및 상기 발열부를 중심으로 서로 대칭되도록 상기 탄성 박막의 상부에 두 쌍의 온도 감지부를 형성하는 단계 를 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 방법 |
10 |
10 제 9 항에 있어서, 상기 온도 감지부를 형성하는 단계는, 상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나는 제 1 축 상에 한 쌍의 온도 감지부를 형성하는 단계; 및 상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나며 상기 제 1 축에 직교하는 제 2 축 상에 한 쌍의 온도 감지부를 형성하는 단계를 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 방법 |
11 |
11 제 9 항에 있어서, 상기 탄성 박막이 노출되도록 상기 기판의 하부를 식각하는 단계 를 더 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 방법 |
12 |
12 삭제 |
13 |
13 제 9 항에 있어서, 상기 발열부 및 상기 온도 감지부를 형성하는 단계는, 폴리 실리콘(poly silicon), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 백금(Pt) 중 어느 하나의 물질로 상기 발열부 및 상기 온도 감지부를 형성하는 단계를 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 | 한국전자통신연구원 | IT원천기술개발 | 유비쿼터스 단말용 부품 모듈 |
특허 등록번호 | 10-1072296-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20081222 출원 번호 : 1020080131573 공고 연월일 : 20111012 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110930 청구범위의 항수 : 11 유별 : G01P 15/00 발명의 명칭 : 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20141006 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 237,000 원 | 2011년 10월 06일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.12.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0880756-73 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.01.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2011.02.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0010688-96 |
5 | 의견제출통지서 | 2011.03.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0128910-10 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.04.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0319697-56 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.04.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0319688-45 |
8 | 등록결정서 | 2011.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0564880-32 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1415100592 |
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세부과제번호 | KI001602 |
연구과제명 | 유비쿼터스단말용부품/모듈 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201002 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415086953 |
---|---|
세부과제번호 | A1100-0802-0111 |
연구과제명 | 유비쿼터스단말용부품/모듈 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201002 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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