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비냉각형 적외선 감지 센서 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015084702
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비냉각 적외선 감지 센서에 대한 것으로서, 이 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 반사층, 상기 반사층과 소정 거리만큼 이격되어 형성되어 있는 제1 흡수층, 상기 제1 흡수층 위에 형성되어 있는 저항층, 그리고 상기 저항층 위에 형성되어 있는 제2 흡수층을 포함한다. 따라서, 중적외선 영역에서의 적외선 흡수율을 향상시켜 고성능의 마이크로 볼로미터를 형성할 수 있다. 볼로미터, 비냉각, 적외선 감지, 흡수율
Int. CL H01L 27/14 (2006.01)
CPC H01L 27/14669(2013.01) H01L 27/14669(2013.01)
출원번호/일자 1020080131655 (2008.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0073070 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류호준 대한민국 서울 노원구
2 양우석 대한민국 대전광역시 서구
3 조성목 대한민국 대전 유성구
4 전상훈 대한민국 대전 유성구
5 유병곤 대한민국 대전 유성구
6 최창억 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0880975-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0010690-88
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0104523-92
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0362725-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 반사층, 상기 반사층과 이격되어 형성되어 있는 제1 흡수층, 상기 제1 흡수층 위에 형성되어 있는 저항층, 그리고 상기 저항층 위에 형성되어 있는 제2 흡수층 을 포함하는 비냉각형 적외선 감지 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 반사층, 제1 흡수층, 저항층 및 제2 흡수층 사이에는 각 층을 전기적으로 절연하는 절연층이 형성되어 있는 비냉각형 적외선 감지 센서
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 흡수층 및 제2 흡수층은 질화티타늄으로 형성되며, 동일한 두께로 형성되어 있는 비냉각형 적외선 감지 센서
4 4
제3항에 있어서, 상기 제2 흡수층 위에 보호층을 더 포함하는 비냉각형 적외선 감지 센서
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 흡수층의 상하에 형성되어 있는 상기 절연층은 서로 동일한 두께를 가지며, 상기 제2 흡수층 상하에 형성되어 있는 상기 절연층은 서로 동일한 두께를 가지는 비냉각형 적외선 감지 센서
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 흡수층 상하에 형성되어 있는 상기 절연층은 상기 제2 흡수층 상하에 형성되어 있는 상기 절연층의 2배의 두께를 가지는 비냉각형 적외선 감지 센서
7 7
제6항에 있어서, 상기 반사층과 상기 제1 흡수층 하부의 상기 절연막까지의 이격 거리는 목표흡수 파장의 1/4에 해당하는 비냉각형 적외선 감지 센서
8 8
기판 위에 반사층을 증착하는 단계, 상기 반사층 위에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 위에 제1 흡수층, 저항층 및 제2 흡수층을 차례로 증착하는 단계, 그리고 상기 희생층을 선택적으로 식각하여 제거하는 단계 를 포함하는 비냉각형 적외선 감지 센서의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 희생층은 목표흡수 파장의 1/4에 해당하는 두께로 형성하는 비냉각형 적외선 감지 센서의 제조 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 희생층, 제1 흡수층, 저항층 및 제2 흡수층의 사이에 절연막을 각각 형성하는 비냉각형 적외선 감지 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스용 CMOS 기반 MEMS 복합센서기술개발