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제 1 플렉서블 기판;상기 제 1 플렉서블 기판 상에 위치하는 투명전극;상기 투명전극 상에 위치하고, 전이금속 산화물 또는 반금속 산화물을 포함하는 제 1 나노구조물;상기 제 1 나노구조물 상에 위치하는 제 2 나노구조물; 상기 제 2 나노구조물 상에 위치하는 제 2 플렉서블 기판; 및상기 제 1 및 제 2 플렉서블 기판을 봉지하는 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 및 제 2 플렉서블 기판은 각각 독립적으로 PET(polyethylene-terephthalate), PEN(polyethylenenapthelate), 폴리이미드(polyimide), PAR(polyacrylate), PES(polyethersulfone), PC(polycarbonate), 폴리노보넨(polynorbonene) 및 아릴릿(Arylite)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자
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청구항 1에 있어서,상기 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, SnO2 및 이들에 Al, Ga, Zn 및 F로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이 도핑된 것으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 및 제 2 나노구조물은 각각 독립적으로 나노로드(Nanorod), 나노와이어(Nanowire), 나노월(Nanowall), 나노튜브(Nanotube), 나노엠보싱(NanoEmbossing) 및 나노벨트(Nanobelt)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 형상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자
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청구항 1에 있어서,상기 전이금속은 Fe, Ti, V, Cr, Zn, Y, Zr, Nb 및 W으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이고, 상기 반금속은 Si, Ge 및 As로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자
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청구항 1에 있어서,상기 제 2 나노구조물은 Ru, Rd, Pd, Os, Ir, Pt, Ag, Au, Ni 및 니켈옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자
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청구항 1에 있어서,상기 봉지층은 폴리스틸렌 수지, 아크릴로니트릴/부타디엔/스틸렌수지, 아크릴수지, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌옥사이드, 염화비닐, 연경질 폴리프로필렌, 유리강화섬유, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 페놀 및 파릴렌수지으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 에너지 변환소자
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플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법에 있어서,(A)전이금속 또는 반금속을 포함하는 용질을 제공하는 단계;(B)상기 용질과 용매를 혼합하여 용액을 제공하는 단계; 및(C)상기 용액 내에 투명전극이 형성된 제 1 플렉서블 기판을 침적하여 제 1 나노구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 용질은 M(CH3COO)2이고, M은 상기 전이금속 또는 반금속이고, 상기 용매는 메탄올(methanol, CH3OH), 에탄올(ethanol, C2H5OH), 에틸렌글리콜(ethylene glycol, C2H4(OH)2), 글리세롤(glycerol, C3H5(OH)3), 프로판올(propanol, C3H7OH), 부탄올(butanol, C4H9OH), 페놀(phenol, C6H5OH), 카테골(C6H4(OH)2), 크레졸(cresol, C6H4(CH3)OH), 피로갈롤(pyrogallol, C6H3(OH)3), 및 나프톨(naphthol, C10H7(OH))로 이루어지는 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 (B)단계는 상기 용질과 상기 용매를 1:1 내지 1:5,000의 비율로 혼합하고, 50 내지 300℃에서 1초 내지 24시간 동안 교반하여 상기 용액을 제공하는 단계인 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 (C)단계는 상기 용액 내에 상기 투명전극이 형성된 제 1 플렉서블 기판을 50 내지 300℃에서 1초 내지 24시간 동안 침적하여 제 1 나노구조물을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 (C)단계는 상기 제 1 나노구조물이 형성된 후, 상기 제 1 나노구조물을 1초 내지 24시간 동안 50 내지 500℃에서 건조하는 단계; 및 진공, 불활성 가스, 산화성 가스 및 환원성 가스분위기로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 가스분위기에서 1초 내지 24시간 동안 50 내지 500℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법은(D)제 플렉서블 2 기판 상에 박막을 형성하는 단계;(E)상기 박막 상에 나노형판층을 형성하는 단계;(F)상기 나노형판층 상에 제 2 나노구조물을 형성하는 단계; 및(G)상기 제 1 나노구조물과 제 2 나노구조물을 서로 마주보도록 상기 제 1 플렉서블 기판과 상기 제 2 플렉서블 기판을 위치시켜 봉지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 (E)단계는 상기 박막 상에 양극산화법, 전기도금법 및 졸-겔법으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 방법으로 나노형판예비층을 형성하는 단계; 및상기 나노형판예비층을 화학적으로 식각하여 나노형판층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 (F)단계는 상기 제 2 나노구조물을 형성한 후, 상기 박막 및 나노형판층을 제거하는 단계; 및상기 제 2 나노구조물을 진공, 불활성 가스, 산화성 가스 및 환원성 가스로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 분위기에서 1초 내지 24시간 동안 50 내지 500℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 (G)단계는 상기 제 1 및 제 2 기판을 봉지한 후, 진공, 불활성 가스 및 진공분위기로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 분위기에서 1분 내지 120분 동안 50 내지 500℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 에너지 변환소자의 제조방법
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