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다수의 지연 셀이 루프 형태로 연결되어 발진 주파수를 발생시키는 구조를 가지며,상기 각 지연 셀은,전단의 지연 셀로부터 제1 차동 입력 신호를 입력받아 상기 제1 차동 입력 신호를 반전시켜 반전에 의해 소정 시간 지연된 신호를 제1, 2 출력 노드로 출력하는 트랜스컨덕턴스부;상기 트랜스컨덕턴스부에 연결되어 외부로부터 입력된 제1 제어 신호에 따라 상기 제1 차동 입력 신호의 반전 속도를 가변시키는 반전 속도 가변부;두단 전의 지연 셀로부터 제2 차동 입력 신호를 입력받아 상기 트랜스컨덕턴스부에 능동 부하를 제공하는 능동 부하부; 및외부로부터 입력된 제2 제어 신호에 따라 단일 모드 또는 차동 모드로 동작하여 상기 트랜스컨덕턴스부로부터 출력되는 차동 출력 신호의 출력 속도를 가변시키는 출력 속도 가변부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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제 1항에 있어서, 상기 트랜스컨덕턴스부는 상기 제1 차동 입력 신호가 게이트에 입력되는 제1, 2 NMOS 트랜지스터로 구성되며,상기 제1 NMOS 트랜지스터는 상기 제1 출력 노드 및 접지 사이에 연결되고, 상기 제2 NMOS 트랜지스터는 상기 제2 출력 노드 및 접지 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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제 2항에 있어서, 상기 반전 속도 가변부는 제1, 2 버랙터로 구성되며,상기 제1 버랙터는 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인 및 상기 제1 제어 신호가 입력되는 제3 노드 사이에 연결되고, 상기 제2 버랙터는 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인 및 상기 제3 노드 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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제 3항에 있어서, 상기 제1 제어 신호의 크기에 따라 상기 제1, 2 버랙터의 캐패시턴스값이 변화되어 상기 제1 차동 입력 신호의 반전 속도가 가변되는 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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제 1항에 있어서, 상기 능동 부하부는 두단 전의 지연 셀로부터 상기 제2 차동 입력 신호가 게이트에 입력되는 제1, 2 PMOS 트랜지스터로 구성되며,상기 제1 PMOS 트랜지스터는 전원 전압 및 상기 제1 출력 노드 사이에 연결되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터는 전원 전압 및 상기 제2 출력 노드 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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제 1항에 있어서, 상기 출력 속도 가변부는,전원 전압 및 상기 제1, 2 출력 노드 사이에 크로스-커플된 제3, 4 PMOS 트랜지스터와, 상기 제2 제어 신호에 따라 상기 제3, 4 PMOS 트랜지스터를 온오프시키는 제1, 2 스위치로 구성된 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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제 6항에 있어서, 상기 제2 제어 신호에 따라 상기 제1, 2 스위치에 의해 상기 제3, 4 PMOS 트랜지스터가 오프되면 단일 모드로 동작하여, 상기 능동 부하부로부터 제공된 능동 부하값과 상기 반전 속도 가변부를 통해 가변된 상기 제1 차동 입력 신호의 반전 속도에 의해 상기 차동 출력 신호의 출력 속도가 결정되는 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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제 6항에 있어서, 상기 제2 제어 신호에 따라 상기 제1, 2 스위치에 의해 상기 제3, 4 PMOS 트랜지스터가 온되면 차동 모드로 동작하여, 상기 제3, 4 PMOS 트랜지스터가 상기 차동 출력 신호를 래치하여 상기 차동 출력 신호의 출력 속도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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제 8항에 있어서, 상기 제3, 4 PMOS 트랜지스터의 크기에 따라 상기 차동 출력 신호를 래치하는 래치 강도가 달라지는 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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제 1항에 있어서, 상기 각 지연 셀은 바크하우센 발진조건을 만족하도록 연결된 것을 특징으로 하는 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
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