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밀리미터파 전압 제어 발진기

  • 기술번호 : KST2015094618
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 밀리미터파 전압 제어 발진기는, CMOS 공정을 통해 MOSFET의 소스와 바디에 큰 저항이 삽입된 버랙터를 포함한다. 본 발명에 따른 MOSFET 버랙터는 매우 작은 커패시턴스 값을 가질 수 있기 때문에 밀리미터파 전압 제어 발진기에 적용 가능하고, 커패시턴스 가변 범위가 크기 때문에 전압 제어 발진기의 가변 주파수 범위를 효과적으로 향상시킬 수 있다. 밀리미터파, 전압 제어 발진기, MOSFET 버랙터
Int. CL H03B 5/12 (2014.01.01) H03B 5/24 (2006.01.01)
CPC H03B 5/1243(2013.01) H03B 5/1243(2013.01) H03B 5/1243(2013.01) H03B 5/1243(2013.01) H03B 5/1243(2013.01)
출원번호/일자 1020070085056 (2007.08.23)
출원인 한국전자통신연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0879270-0000 (2009.01.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창선 대한민국 서울 강동구
2 차진종 대한민국 경기 성남시 분당구
3 윤병진 대한민국 경기 부천시 원미구
4 윤태열 대한민국 서울 성북구
5 김성준 대한민국 서울 광진구
6 최성훈 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0611932-36
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims		 2007.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0118178-23
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0661424-60
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2007.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0661794-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0054835-38
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0599999-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
커패시턴스 값을 가변하여 발진 신호를 생성하는 공진기; 상기 공진기의 출력에 포함되어 있는 기생 저항 성분을 감쇄시키는 감쇄기; 그리고상기 감쇄기로부터 일정레벨의 전류를 접지로 흘려주어 동작 전압을 조절하는 전류 공급부를 포함하며, 상기 공진기는 바디와 소스에 큰 값의 저항이 삽입된 MOS 트랜지스터들로 구성된 버랙터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 버랙터는 상기 전압 제어 발진기의 출력 주파수가 밀리미터파까지 확장될 수 있도록 충분히 낮은 최소 커패시턴스 값을 제공하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 버랙터에 삽입된 상기 저항은 CMOS 공정을 통해 삽입되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터들은 N 타입의 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 공진기는 상기 버랙터와 복수 개의 인덕터들로 구성된 LC 공진기인 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.