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하이브리드용 도파로, 다중 모드 도파로 및 단일 모드 도파로가 직렬로 연결되어 이루어진 반도체층을 포함하는 기판;상기 반도체층의 상기 하이브리드용 도파로 상에 제공되되, 상기 다중 모드 도파로의 일부와 중첩되는 테이퍼 진 형태의 커플링 구조체를 일단에 포함하는 화합물 반도체 도파로; 및상기 단일 모드 도파로의 일단에 제공된 반사부를 포함하되,상기 다중 모드 도파로는 상기 하이브리드용 도파로보다 좁은 폭을 갖고, 상기 단일 모드 도파로는 상기 다중 모드 도파로보다 좁은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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제 1항에 있어서,상기 화합물 반도체 도파로는 5㎛ 이상의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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제 1항에 있어서,상기 화합물 반도체 도파로는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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제 1항에 있어서,상기 기판은 기저 반도체층, 상기 기저 반도체층 상의 절연체층 및 상기 절연체층 상의 상기 반도체층을 포함하는 SOI(Silicon On Insulator) 기판인 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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제 4항에 있어서,상기 화합물 반도체 도파로는 상기 기판의 상기 반도체층과의 본딩에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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제 1항에 있어서,상기 다중 모드 도파로와 상기 단일 모드 도파로 사이에 제공되는 모드 선택부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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제 6항에 있어서,상기 모드 선택부는 다중 모드 간섭 도파로인 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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제 1항에 있어서,상기 반사부는 회절 격자가 형성된 도파로인 분산 브래그 반사경 또는 면(facet) 반사를 이용하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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제 1항에 있어서,상기 하이브리드용 도파로, 상기 다중 모드 도파로 및 상기 단일 모드 도파로가 직렬로 연결되는 것은 이들 사이에 각각 제공되는 전이 영역 도파로들에 의한 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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제 9항에 있어서,상기 전이 영역 도파로는 상기 하이브리드용 도파로로부터 상기 다중 모드 도파로로, 그리고 상기 다중 모드 도파로로부터 상기 단일 모드 도파로로 갈수록 좁아지는 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 공진기
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