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전기 방사법을 이용한 유기물 패턴 형성 방법

기술번호 : KST2015085378
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 전기 방사법을 이용한 유기물 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유기물 패턴 형성 방법은 제 1 기판 상에 전기방사법으로 나노급 또는 마이크로급 선을 형성하는 단계; 그 위에 제 2 기판을 접합하는 단계; 및 상기 제 1 기판 상에 형성된 나노급 또는 마이크로급 선을 제 2 기판 상으로 표면 에너지 차이를 이용하여 전이하는 단계를 포함한다. 이와 같은 유기물 패턴 형성 방법은 전도성 기판 뿐만 아니라 절연성 기판 상에도 나노급 또는 마이크로미터급 패턴을 형성할 수 있다. 전기 방사, 패턴 형성, 표면 처리, 표면 에너지, 전이
Int. CL	B82B 3/00 (2006.01) B81B 5/00 (2006.01) D01D 5/00 (2006.01)
CPC	B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자	1020090112510 (2009.11.20)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1620030-0000 (2016.05.03)
공개번호/일자	10-2011-0055894 (2011.05.26) 문서열기
공고번호/일자	(20160512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.11.04)
심사청구항수	8

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김성현	대한민국	대전광역시 유성구
2	이수재	대한민국	대전광역시 유성구
3	박진아	대한민국	대전광역시 중구
4	문제현	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	문용호	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 * 디타워 D* **층(법무법인세종)
2	이용우	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 * 디타워 D* **층(법무법인세종)
3	강신섭	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 * 디타워 D* **층(법무법인세종)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.11.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0713498-50
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2013.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0900589-76
3	보정요구서 Request for Amendment	2013.10.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2013-0122861-46
4	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2013.10.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0953434-39
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2014.11.04	수리 (Accepted)	1-1-2014-1062832-12
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
7	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.06.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.08.07	수리 (Accepted)	9-1-2015-0054166-33
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.10.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0725374-77
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.12.10	수리 (Accepted)	1-1-2015-1212128-41
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.12.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-1212169-13
12	등록결정서 Decision to grant	2016.04.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0296351-10

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 기판 상에 전기방사법으로 나노급 또는 마이크로급 선을 형성하는 단계; 상기 나노급 또는 마이크로급 선이 형성된 상기 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 단계; 및 상기 제 1 기판 상에 형성된 상기 나노급 또는 마이크로급 선을 상기 제 2 기판 상으로 표면 에너지 차이를 이용하여 전이하는 단계를 포함하고, 상기 나노급 또는 마이크로급 선의 형성 물질은 폴리올레핀계 고분자, 방향족계 고분자, 클로라이드계 고분자, 불소계 고분자 및 실리콘계 고분자 및 폴리부타디엔으로부터 선택된 소수성 고분자인 패턴 형성 방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 제 1 기판은 전도성 기판이며, 제 2 기판은 절연성 기판인 패턴 형성 방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 전기방사법으로는 전기방사법, 노즐과 기판 사이의 거리가 수 mm로 근접한 근접장 전기방사법 또는 전기분무법을 이용하는 패턴 형성 방법
4	4 제 1항에 있어서, 제 1 기판 및 제 2 기판의 표면은 표면 에너지 차이가 발생되도록 표면처리되는 것인 패턴 형성 방법
5	5 제 4항에 있어서, 상기 나노급 또는 마이크로급 선이 소수성인 경우, 제 1 기판의 표면은 친수성 처리되고 제 2 기판의 표면은 소수성 처리되는 것인 패턴 형성 방법
6	6 제 4항에 있어서, 상기 나노급 또는 마이크로급 선이 친수성인 경우, 제 1 기판의 표면은 소수성 처리되고 제 2 기판의 표면은 친수성 처리되는 것인 패턴 형성 방법
7	7 제 4항에 있어서, 상기 표면 처리는 산소, 질소, 물, 아르곤 또는 암모니아를 이용한 플라즈마 처리, 오존과 자외선 처리 또는 자기조립 단분자막을 형성하는 것인 패턴 형성 방법
8	8 삭제
9	9 제 1 기판 상에 전기방사법으로 나노급 또는 마이크로급 선을 형성하는 단계; 상기 나노급 또는 마이크로급 선이 형성된 상기 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 단계; 및 상기 제 1 기판 상에 형성된 상기 나노급 또는 마이크로급 선을 상기 제 2 기판 상으로 표면 에너지 차이를 이용하여 전이하는 단계를 포함하고, 상기 나노급 또는 마이크로급 선의 형성 물질은 폴리비닐알콜, 폴리비닐페놀 및 PEDOT로부터 선택된 친수성 고분자인 패턴 형성 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1620030-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20091120 출원 번호 : 1020090112510 공고 연월일 : 20160512 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160422 청구범위의 항수 : 8 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 전기 방사법을 이용한 유기물 패턴 형성 방법 존속기간(예정)만료일 : 20190504

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	178,500 원	2016년 05월 04일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.11.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0713498-50
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2013.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0900589-76
3	보정요구서	2013.10.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2013-0122861-46
4	[출원서등 보정]보정서	2013.10.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0953434-39
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2014.11.04	수리 (Accepted)	1-1-2014-1062832-12
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
7	선행기술조사의뢰서	2015.06.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서	2015.08.07	수리 (Accepted)	9-1-2015-0054166-33
9	의견제출통지서	2015.10.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0725374-77
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.12.10	수리 (Accepted)	1-1-2015-1212128-41
11	[명세서등 보정]보정서	2015.12.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-1212169-13
12	등록결정서	2016.04.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0296351-10


과제고유번호	1415104810
세부과제번호	09ZH1340-1360
연구과제명	정보통신미래신기술연구사업
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	산업기술연구회
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2009
연구기간	200601~201512
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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