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적어도 하나의 관통 홀; 및적어도 상기 관통 홀을 채우는 관통 전극을 포함하되,상기 관통 전극은 금속간 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 1항에 있어서,상기 관통 전극의 적어도 일 단부 상에 배치된 솔더 범프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 1항에 있어서,상기 관통 홀의 측벽과 상기 관통 전극 사이에 개재된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 1항에 있어서,상기 반도체 소자는 반도체 칩 또는 인터포저인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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반도체 소자의 적어도 일부를 관통하는 적어도 하나의 관통 홀을 형성하는 단계; 및적어도 상기 관통 홀을 채우는 관통 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 관통 전극은 금속간 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 관통 전극의 적어도 일 단부 상에 솔더 범프를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 솔더 범프를 형성하는 단계는:상기 반도체 소자의 표면을 덮는 솔더 범프 메이커층을 형성하는 단계;열을 가해 상기 관통 전극의 상기 일 단부 상에 솔더 범프를 형성하는 단계; 및미반응 솔더 범프 메이커층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 솔더 범프 메이커층은 솔더 파우더 및 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 솔더 파우더는 SnAgCu, PbSn, SnBi, InSn 및 In 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 수지는 상기 솔더 파우더의 표면에 존재하는 산화막을 제거하기 위한 환원제 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 10항에 있어서,상기 솔더 범프를 형성하는 단계는 상기 열에 의해 용융된 상기 솔더 파우더가 표면 장력에 의해 상기 관통 전극의 상기 일 단부 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 관통 홀을 형성하는 단계는 반응성 이온 식각 공정 또는 레이저 드릴링 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 관통 전극을 형성하는 단계 전에 상기 관통 홀의 내부면에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 절연층은 형성하는 것은 분리층, 배리어층 및 접착층을 순차적으로 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 반도체 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 관통 전극을 형성하는 단계는:적어도 상기 관통 홀을 전극용 물질로 채우는 단계; 및열을 가해 상기 전극용 물질을 반응시켜 상기 금속간 화합물로 전환하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서,적어도 상기 관통 홀을 상기 전극용 물질로 채우는 단계는 스크린 프린팅 또는 금속 마스크를 이용하는 프린팅을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서,상기 전극용 물질은 금속 알갱이, 솔더 알갱이 및 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 17항에 있어서,상기 금속 알갱이는 상기 솔더 알갱이보다 높은 융점을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 18항에 있어서,상기 금속 알갱이는 Ag, Au 및 Cu 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 18항에 있어서,상기 솔더 알갱이는 Sn, SnAg SnAgCu, SnBi, In 및 Zn 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 17항에 있어서,상기 수지는 상기 솔더 알갱이 표면에 존재하는 산화막을 제거하기 위한 환원제 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 1항의 구조를 가지면서, 상기 관통 전극들에 의해 서로 전기적으로 연결되는 적층된 반도체 소자들; 및상기 관통 전극들의 연결 부위를 제외한 상기 적층된 반도체 소자들 사이에 제공된 접착 물질막을 포함하는 반도체 소자 패키지
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제 22항에 있어서,상기 관통 전극들은 상기 관통 전극들 중 적어도 하나의 일 단부 상에 제공되는 솔더 범프를 매개로 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지
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제 22항에 있어서,상기 접착 물질막은 필름 또는 페이스트 형태의 플럭싱 언더필인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지
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제 24항에 있어서,상기 접착 물질막은 고분자 볼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지
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제 22항에 있어서,상기 적층된 반도체 소자들이 실장되고 본딩 전극을 갖는 상부면 및 상기 상부면에 대향하는 하부면을 갖는 인쇄 회로 기판을 더 포함하되,상기 적층된 반도체 소자들 중 최하부 반도체 소자의 상기 관통 전극과 상기 인쇄 회로 기판의 상기 본딩 전극은 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지
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제 26항에 있어서,상기 최하부 반도체 소자의 상기 관통 전극과 상기 본딩 전극은 상기 최하부 반도체 소자의 상기 관통 전극 상에 제공되는 솔더 범프를 매개로 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지
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제 26항에 있어서,상기 적층된 반도체 소자들 및 상기 인쇄 회로 기판의 상기 상부면을 봉지하는 몰딩 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지
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제 26항에 있어서,상기 인쇄 회로 기판의 상기 하부면에 제공되는 솔더 볼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지
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제 5항에 따라 제조된 반도체 소자들을 준비하는 단계;상기 반도체 소자의 표면을 덮는 접착 물질막을 형성하는 단계; 및상기 반도체 소자들의 상기 관통 전극들이 서로 연결되도록, 상기 반도체 소자들을 적층하는 단계를 포함하는 반도체 소자들의 적층 방법
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제 30항에 있어서,상기 관통 전극의 적어도 일 단부 상에 솔더 범프를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자들의 적층 방법
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제 31항에 있어서,상기 관통 전극들은 상기 솔더 범프를 매개로 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자들의 적층 방법
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제 30항에 있어서,상기 반도체 소자들을 적층하는 단계는 열 압착 방식 또는 열 초음파 압착 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자들의 적층 방법
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