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제1 기판, 상기 제1 기판의 상부에 형성되는 제1 소자, 상기 제1 소자의 상부에 형성되는 제1 금속 핀, 상기 제1 기판 위에 적층되며, 상기 제1 기판의 제2 금속 핀이 삽입되는 위치에 대응하여 제1 구멍이 형성된 제2 기판, 상기 제2 기판의 상부에 형성되는 제2 소자, 상기 제1 금속 핀이 상기 제2 기판에 형성된 제1 구멍에 삽입된 후 상기 제1 금속 핀과 상기 제2 기판 사이의 공간을 유기 물질로 채워 형성된 절연층, 그리고 상기 제1 금속핀과 상기 제2 소자에 형성된 적어도 일부의 절연층을 제거하여 형성된 연결 부재를 포함하는 다층 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 연결 부재는 금속으로 형성되는 다층 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 소자의 상부에 형성된 전극 패드를 더 포함하고, 상기 제1 금속 핀은 상기 제2 기판의 두께보다 높은 높이를 가지는 다층 반도체 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 기판의 상부에 상기 제1 금속 핀과 동시에 형성되는 제2 금속 핀, 그리고 상기 제2 금속 핀이 삽입되는 위치에 대응하여 제2 기판에 형성된 제2 구멍을 더 포함하고, 상기 제2 금속 핀 및 상기 제2 구멍은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 정렬하는 데 사용되는 다층 반도체 소자
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제1 기판에 형성된 제1 소자 위에 제1 금속 핀을 형성하는 단계, 제2 소자가 형성된 제2 기판에 상기 제1 금속 핀이 삽입될 위치에 대응하여 제1 구멍을 형성하는 단계, 상기 제1 기판의 제1 금속 핀을 상기 제2 기판의 제1 구멍에 삽입하여 상기 제1 기판에 상기 제2 기판을 적층하는 단계, 상기 제1 금속 핀과 상기 제2 기판 사이의 공간을 유기 물질로 채워 절연층을 형성하는 단계, 상기 제1 금속핀과 상기 제2 소자에 형성된 적어도 일부의 절연층을 제거하는 단계, 그리고 상기 제2 금속핀과 상기 제2 소자를 전기적으로 연결하는 연결 부재를 형성하는 단계를 포함하는 다층 반도체 소자의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 제1 금속 핀을 형성하는 단계는, 상기 제1 기판 위에 제2 금속 핀을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 구멍을 형성하는 단계는, 상기 제2 기판에 상기 제2 금속 핀이 삽입될 위치에 대응하여 제2 구멍을 형성하는 단계를 포함하는 다층 반도체 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 적층하는 단계 전에 상기 제2 금속 핀과 상기 제2 구멍을 이용하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 정렬하는 단계를 더 포함하는 다층 반도체 소자의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 제2 소자 위에 전극 패드를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 금속 핀을 형성하는 단계는,상기 제2 기판의 두께보다 높게 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제거하는 단계는, 상기 제2 기판의 절연층을 갈아내어 상기 제1 금속 핀과 상기 전극 패드를 노출시키는 단계를 포함하는 다층 반도체 소자의 제조 방법
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