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증착 물질로 형성된 타겟;상기 타겟에 대향하는 대면적 기판;상기 기판 하부로 배치되고, 상기 기판에 직접 컨택하여 상기 기판을 가열하는 히터; 및접착제를 사용하지 않고 상기 대면적 기판을 상기 히터에 기계적으로 고정시키는 고정장치;를 포함하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제1 항에 있어서,상기 히터는 상부 표면에 열 변형이 없는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제2 항에 있어서,열 변형이 없는 상기 물질은 표면 연마되어 상기 히터의 몸체부 상면에 붙어 있는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제1 항에 있어서,상기 히터는 히터 본체가 열 변형이 없는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제2 항 또는 제4 항에 있어서,열 변형이 없는 상기 물질은 쿼츠(quartz), 사파이어, 및 알루미나 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제1 항에 있어서,상기 고정장치는 상기 기판의 외곽부분을 덮어 고정할 수 있는 링 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제6 항에 있어서,상기 고정장치는 내측 측면에 상기 기판의 측면이 걸쳐 고정될 수 있도록 물림홈이 형성되어 있고,상기 물림홈의 깊이는 상기 기판의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제7 항에 있어서,상기 히터의 상면은 상기 기판보다 넓으며,상기 기판은 상기 히터 상면 중심으로 배치되며,상기 고정장치는 상기 기판이 배치되지 않는 상기 히터 상면 외곽부분에 나사를 통해 결합되는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제7 항에 있어서,상기 히터의 상면은 상기 기판보다 넓으며,상기 기판은 상기 히터 상면 중심으로 배치되며,상기 고정장치는 외곽부분으로 상기 히터를 감싸도록 형성된 가이드 벽을 통해 상기 히터에 고정되는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제7 항에 있어서,상기 히터는 상기 기판 및 고정장치를 수용할 수 있도록 상면 외곽으로 가이드 벽이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제10 항에 있어서,상기 가이드 벽에 의해 둘러싸인 상기 히터의 상면은 상기 기판보다 넓으며,상기 기판은 상기 히터 상면 중심으로 배치되며,상기 고정장치는 내측 측면에 상기 기판의 측면이 걸쳐 고정될 수 있도록 물림홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제11 항에 있어서,상기 고정장치의 외측 측면은 상기 가이드 벽의 내측 측면에 접촉되고,상기 고정장치는 상기 가이드 벽의 내측 측면에 형성된 돌출부를 통해 상기 히터에 고정되거나 고정장치의 자체 무게에 의해 상기 히터에 고정되는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제10 항에 있어서,상기 히터는 표면 연마된 열 변형이 없는 물질을 포함하고, 열 변형이 없는 상기 물질은 상기 가이드 벽에 의해 둘러싸인 부분 표면에 붙어있는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제1 항에 있어서,상기 박막 성장장치에서 YBaCuO, LaSrMnO, LaCaMnO, SrTiO, BaTiO, TiOx, WOx, 및 NiOx 중 어느 하나의 대면적 산화물 박막이 증착 성장되는 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제1 항에 있어서,상기 기판은 지름 2인치 이상의 대면적 기판인 것을 특징으로 하는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치
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제1 항의 박막 성장장치를 이용하여, 상기 타겟으로부터 형성된 플라즈마를 상기 기판 상에 증착시킴으로써, 상기 기판에 대면적 산화물을 성장시키는 대면적 산화물 박막 성장방법
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제16 항에 있어서,상기 박막 성장 방법은 상기 기판에 인-시츄(in-situ)로 상기 대면적 산화물을 성장시키는 것을 특징으로 하는 대면적 산화물 박막 성장방법
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제16 항에 있어서,상기 산화물은 바나듐 옥사이드(VO2)인 것을 특징으로 하는 대면적 산화물 박막 성장방법
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제16 항에 있어서,상기 산화물은 YBaCuO, LaSrMnO, LaCaMnO, SrTiO, BaTiO, TiOx, WOx, 및 NiOx 중 어느 하나의 산화물인 것을 특징으로 하는 대면적 산화물 박막 성장방법
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제16 항에 있어서,상기 산화물 박막 성장 시에 상기 히터 표면의 오염이나 변형을 방지하기 위하여, 상기 박막 성장장치의 상기 히터가 표면 연마된 열 변형이 없는 물질을 상면에 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 산화물 박막 성장방법
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