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기판 내에 비아홀을 형성하는 단계상기 비아홀을 갖는 기판을 제1 용액에 담근 상태에서 진공을 뽑아내어 상기 비아홀 내에 존재하는 기포를 제거하며 상기 비아홀을 상기 제1 용액으로 채우는 단계상기 기판이 담긴 상기 제1 용액에 금속 입자를 함유하는 제2 용액을 제공하여 상기 비아홀에 금속 입자를 침강시키는 단계 및 상기 금속 입자로 채워진 상기 비아홀을 갖는 기판에 대하여 열처리하는 제1 경화(curing) 공정을 수행하여 상기 비아홀 내에 비아를 형성하는 단계를 포함하는 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 입자는 구리, 은, 금 및 주석으로 이루어진 일 군으로 선택된 어느 하나를 포함하는 것인 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 용액의 용매는 상기 제1 용액보다 크거나 동일한 밀도를 갖되, 상기 제1 용액은 에탄올, 메탄올 또는 이소피로필 알코올을 함유하는 것인 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 경화 공정은 상기 제1 용액 및 상기 제2 용액의 비등점 온도보다 높고, 상기 기판의 활성면 배선들이 확산 반응을 일으키는 온도보다 낮은 온도에서 진행되는 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 경화 공정을 수행하기 전에, 스퀴저를 이용하여 상기 기판의 표면 상에 잔존한 금속입자를 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 비아홀에 금속 입자를 침강시키는 단계 동안에, 스퀴저를 이용하여 상기 기판의 표면 상에 침강된 금속입자를 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 도전성 페이스트를 이용한 프린트 공정 또는 임프린트 공정을 이용하여 상기 비아 상에 배선 패턴을 형성하는 단계상기 배선 패턴을 갖는 기판에 대하여 열처리하는 제2 경화 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것인 비아 형성 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 제1 공정에 의해 상기 비아는 상기 비아홀보다 작은 부피로 형성되며, 상기 제2 경화 공정에 의해 상기 배선 패턴은 상기 비아 상에 리세스부를 갖도록 형성되는 것인 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 비아홀을 상기 제1 용액으로 채우는 단계 전에, 상기 비아홀의 내측면을 따라 절연막 및 확산 방지막을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 비아 형성 방법
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기판 내에 비아홀을 형성하는 단계상기 비아홀을 갖는 기판을 제1 용액에 담근 상태에서 진공을 뽑아내어 상기 비아홀 내에 존재하는 기포를 제거하며 상기 비아홀을 상기 제1 용액으로 채우는 단계상기 기판이 담긴 상기 제1 용액에 금속 입자를 함유하는 제2 용액을 제공하여 상기 비아홀에 금속 입자를 침강시키는 단계 상기 금속 입자로 채워진 상기 비아홀을 갖는 기판에 대하여 열처리하는 제1 경화(curing) 공정을 수행하여 상기 비아홀 내에 비아를 형성하는 단계 및 범프를 통하여 상기 비아의 하부와 배선 기판 사이를 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 적층 칩 패키지의 제조 방법
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