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기판;상기 기판 상부에 형성되며 복사열을 흡수하는 열 흡수막;상기 열 흡수막을 통해 흡수된 열을 열 방출막으로 전달하는 레그;상기 레그로부터 전달받은 열을 외부로 방출하는 열 방출막;상기 열 흡수막 상부에 형성되며 상기 열 흡수막 보다 낮은 굴절률을 갖는 반사방지막;상기 레그 및 상기 열 방출막 상부에 형성되며 제1 반사막 보다 낮은 굴절률을 갖는 절연막; 및상기 절연막 상부에 형성되며 복사광을 전반사시키는 상기 제1 반사막을 포함하되,상기 반사방지막에 의해 복사광이 외부로 반사되지 않고 상기 열 흡수막으로 흡수되며, 상기 절연막과 상기 제1 반사막에 의해 복사광이 상기 열 방출막으로 흡수되지 않고 외부로 전반사되는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속 기판, SOI(silicon on insulator) 기판, 이들 기판들이 결합된 다층구조의 기판 중 어느 하나의 기판인 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자
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제 1항에 있어서, 상기 열 흡수막과 상기 열 방출막은 주기율표 4 족 원소들인 Si, Ge, C, Sn 및 Pb 중 적어도 하나의 원소를 포함하거나, 주기율표 5족 원소들인 Sb, As, Bi, P 및 N 중 적어도 하나의 원소를 포함하거나, 주기율표 6족 원소들인 Te, Se, Po, S 및 O 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자
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제 1항에 있어서, 상기 반사방지막은 상기 열 흡수막 보다 낮은 굴절률을 갖는 단층의 유전막 또는 다층의 유전막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자
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제 4항에 있어서, 상기 반사방지막은 흡수하고자 하는 복사광의 파장에서 0~0
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제 4항에 있어서, 상기 반사방지막이 다층의 유전막으로 형성되는 경우, 최상층에는 가장 낮은 굴절률을 갖는 유전막이 형성되고 하부층으로 갈수록 점점 높은 굴절률을 갖는 유전막이 형성되는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자
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제 1항에 있어서, 상기 절연막은 상기 제1 반사막 보다 낮은 굴절률을 갖는 단층의 유전막 또는 다층의 유전막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자
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제 7항에 있어서, 상기 절연막이 다층의 유전막으로 형성되는 경우, 최상층에는 가장 낮은 굴절률을 갖는 유전막이 형성되고 하부층으로 갈수록 점점 높은 굴절률을 갖는 유전막이 형성되는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자
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제 1항에 있어서, 상기 열 방출막과 접하도록 형성되며, 상기 열 방출막 보다 높은 열전도도 값을 갖고, 상기 열 방출막에 전달된 열을 외부로 방출하는 제2 반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자
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제 9항에 있어서, 상기 제1, 2 반사막은 Al, Cu, Ti, Ag, Au, W, Si, Pt, Ni, Mo, Ta, Ir, Ru, Zn, Sn, In 중 적어도 하나의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자
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(a) 기판 상부에 복사열을 흡수하는 열 흡수막, 상기 열 흡수막을 통해 흡수된 열을 열 방출막으로 전달하는 레그 및 상기 레그로부터 전달받은 열을 외부로 방출하는 열 방출막을 형성하는 단계;(b) 상기 열 흡수막 상부에 상기 열 흡수막 보다 낮은 굴절률을 갖는 반사방지막을 형성하고, 상기 열 방출막 상부에 이후에 형성될 제1 반사막 보다 낮은 굴절률을 갖는 절연막을 형성하는 단계; 및(c) 상기 절연막 상부에 복사광을 전반사시키는 제1 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 원자층 증착법, CVD(Chemical vapor deposition), 스퍼터링 중 어느 하나에 의해 단층의 유전막 또는 다층의 유전막으로 상기 반사방지막과 상기 절연막을 각각 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자의 제조 방법
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제 12항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 반사방지막을 형성할 때 상기 열 흡수막 보다 낮은 굴절률을 갖도록 상기 반사방지막의 굴절률을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자의 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 흡수하고자 하는 복사광의 파장에서 0~0
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제 13항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 반사방지막을 다층의 유전막으로 형성하는 경우, 최상층에는 가장 낮은 굴절률을 갖는 유전막을 형성하고 하부층으로 갈수록 점점 높은 굴절률을 갖는 유전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자의 제조 방법
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제 12항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,상기 절연막을 형성할 때 상기 제1 반사막 보다 낮은 굴절률을 갖도록 상기 절연막의 굴절률을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자의 제조 방법
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제 16항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 절연막을 다층의 유전막으로 형성하는 경우, 최상층에는 가장 낮은 굴절률을 갖는 유전막을 형성하고 하부층으로 갈수록 점점 높은 굴절률을 갖는 유전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,원자층 증착법, CVD(Chemical vapor deposition), 스퍼터링 중 어느 하나에 의해 단층의 유전막 또는 다층의 유전막으로 상기 반사방지막과 상기 절연막을 동시에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,상기 열 방출막에 전달된 열을 외부로 방출시키도록 상기 열 방출막과 접하여 형성되며, 상기 열 방출막 보다 높은 열전도도 값을 갖는 제2 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복사열을 열원으로 이용하는 열전소자의 제조 방법
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