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교대로 배열된 복수의 P형 반도체 및 복수의 N형 반도체;이웃한 상기 P형 반도체와 상기 N형 반도체의 상면을 연결하는 상부 금속;이웃한 상기 P형 반도체와 상기 N형 반도체의 하면을 연결하되, 상기 상부 금속과는 엇갈려 배열되는 하부 금속; 및상기 복수의 P형 반도체, 상기 복수의 N형 반도체, 상기 상부 금속 및 상기 하부 금속의 연결면을 따라 형성된 보호막을 포함하는 플렉서블 열전소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 P형 반도체 중 적어도 하나의 P형 반도체와 연결된 P형 금속; 및상기 복수의 N형 반도체 중 적어도 하나의 N형 반도체와 연결된 N형 금속을 더 포함하는 플렉서블 열전소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 P형 반도체 및 복수의 N형 반도체는 직렬로 연결된플렉서블 열전소자
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제1항에 있어서,상기 보호막은 탄성을 갖는 물질로 형성되는플렉서블 열전소자
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교대로 배열된 복수의 P형 반도체 및 복수의 N형 반도체, 이웃한 상기 P형 반도체와 상기 N형 반도체의 상면을 연결하는 상부 금속, 이웃한 상기 P형 반도체와 상기 N형 반도체의 하면을 연결하되 상기 상부 금속과는 엇갈려 배열되는 하부 금속, 상기 복수의 P형 반도체, 상기 복수의 N형 반도체, 상기 상부 금속 및 상기 하부 금속의 연결면을 따라 형성된 보호막을 포함하고, 소자연결부에 의해 연결된 복수의 플렉서블 열전소자;상기 복수의 플렉서블 열전소자에 의해 발생된 에너지를 변환하는 에너지 변환부;상기 에너지 변환부에 의해 변환된 에너지를 저장하는 저장부; 및상기 저장부로부터 전원을 공급받아 센싱된 신호를 처리하는 신호처리부를 포함하는 무선 센서 노드
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제5항에 있어서,상기 플렉서블 열전소자는,상기 복수의 P형 반도체 중 적어도 하나의 P형 반도체와 연결된 P형 금속; 및상기 복수의 N형 반도체 중 적어도 하나의 N형 반도체와 연결된 N형 금속을 더 포함하는무선 센서 노드
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제5항에 있어서,상기 저장부로부터 전원을 공급받아 상기 신호처리부에 의해 처리된 신호를 무선으로 송수신하는 무선 송수신부를 더 포함하는 무선 센서 노드
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8
제5항에 있어서,300mV 이하의 전압에서 에너지 변환이 가능한 스타트 업 회로를 더 포함하는 무선 센서 노드
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제5항에 있어서,상기 신호처리부는,상기 플렉서블 열전소자의 출력 전압을 이용하여 온도변화량을 비교 및 판단하여 상기 센싱된 신호를 처리하는무선 센서 노드
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기판 내에 교대로 배열된 복수의 P형 반도체 및 복수의 N형 반도체를 형성하는 단계;상기 기판의 상부면에 금속막을 형성하는 단계;상기 금속막을 패터닝하여, 이웃한 상기 P형 반도체와 상기 N형 반도체의 상면을 연결하는 상부 금속, 상기 복수의 P형 반도체 중 적어도 하나의 P형 반도체와 연결된 P형 금속 및 상기 복수의 N형 반도체 중 적어도 하나의 N형 반도체와 연결된 N형 금속을 형성하는 단계;상기 복수의 P형 반도체 및 상기 복수의 N형 반도체의 하면을 노출시키도록 상기 기판의 하부면을 식각하는 단계;상기 복수의 P형 반도체 및 상기 복수의 N형 반도체의 하면이 노출된 상기 기판의 하부면에 금속막을 형성하는 단계; 및상기 금속막을 패터닝하여 이웃한 상기 P형 반도체와 상기 N형 반도체의 하면을 연결하되, 상기 상부 금속과는 엇갈려 배열되는 하부 금속을 형성하는 단계를 포함하는 플렉서블 열전소자 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 상부 금속, 상기 P형 금속 및 상기 N형 금속 형성 단계 후에,상기 상부 금속, P형 금속 및 N형 금속을 식각 베리어로, 상기 상부 금속, 상기 P형 금속 및 상기 N형 금속들 사이에 노출된 기판을 소정 깊이 식각하는 단계; 및식각면을 따라 상부 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 플렉서블 열전소자 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 하부 금속 형성 단계 후에,상기 하부 금속을 식각 베리어로, 상기 하부 금속들 사이에 노출된 기판을 식각하는 단계; 및식각면을 따라 하부 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 플렉서블 열전 소자 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 하부 금속들 사이에 노출된 기판을 식각하는 단계 전에, 상기 하부 금속들 사이에 노출된 기판을 식각하는 과정에서 상기 하부 금속이 형성된 결과물을 지탱하도록, 상기 기판의 상부면에 보조 기판을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 하부 보호막 형성 단계 후에, 상기 보조 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는플렉서블 열전 소자 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 복수의 P형 반도체 및 상기 복수의 N형 반도체 형성 단계는 이온 주입 공정 또는 확산 공정에 의해 수행되는 플렉서블 열전 소자 제조 방법
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