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애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법

  • 기술번호 : KST2015086277
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법이 제공된다. 애벌런치 광다이오드의 형성방법은 엔형 기판 상에 화합물 반도체 흡수층, 화합물 반도체 그래이딩층, 차아지 시트층, 화합물 반도체 증폭층, 선택적 습식 식각층 및 피형 전극층을 유기 금속 화학 기상 증착 방법으로 순차적으로 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01) H01L 31/10 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100108685 (2010.11.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1371401-0000 (2014.03.03)
공개번호/일자 10-2012-0047042 (2012.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20140310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.03)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미란 대한민국 대전광역시 유성구
2 권오균 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0717622-33
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0866230-50
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0136864-07
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0136863-51
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0137389-35
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
엔형 기판 상의 화합물 반도체 흡수층, 화합물 반도체 그래이딩(grading)층, 차아지 시트층(charge sheet layer), 화합물 반도체 증폭층, 선택적 습식 식각층 및 피형 전극층을 형성하는 것;상기 피형 전극층에 플라즈마 건식 식각 방법을 수행하여 피형 전극 메사 패턴을 형성하는 것; 그리고상기 피형 전극 메사 패턴을 마스크로 상기 선택적 습식 식각층에 습식 식각 공정을 진행하여, 상기 피형 전극 메사 패턴 아래에 언더컷 영역 및 선택적 습식 식각층 구경 패턴을 형성하는 것을 포함하되,상기 화합물 반도체 흡수층, 상기 화합물 반도체 그래이딩층, 상기 차아지 시트층, 상기 화합물 반도체 증폭층, 상기 선택적 습식 식각층 및 상기 피형 전극층은 유기 금속 화학 기상 증착 방법으로 순차적으로 형성되는 애벌런치 광다이오드의 형성방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 언더컷 영역을 채우며, 상기 피형 전극 메사 패턴의 일부 및 상기 화합물 반도체 증폭층을 덮는 유전막을 형성하는 것을 더 포함하는 애벌런치 광다이오드의 형성방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 유전막은 원자층 증착 방법으로 형성되는 애벌런치 광다이오드의 형성방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 피형 전극 메사 패턴 상에 반사방지막을 형성하는 것;상기 피형 전극 메사 패턴에 연결되는 피형 금속 전극을 형성하는 것; 그리고상기 엔형 기판에 연결되는 엔형 금속 전극을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 피형 전극 메사 패턴은 상기 피형 금속 전극의 개구(opening)에 의하여 노출되어 빛이 입사되는 광입사 영역을 포함하며, 상기 광입사 영역의 폭은 상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴의 폭보다 넓게 형성되는 애벌런치 광다이오드의 형성방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 엔형 기판의 하부면 상에 반사방지막을 형성하는 것;상기 엔형 기판에 연결되는 엔형 금속 전극을 형성하는 것; 그리고상기 피형 전극 메사 패턴에 연결되는 피형 금속 전극을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 피형 전극 메사 패턴은 상기 피형 금속 전극과 접촉하는 광반사 영역을 포함하며, 상기 광반사 영역의 폭은 상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴의 폭보다 넓게 형성되는 애벌런치 광다이오드의 형성방법
7 7
엔형 기판 상의 화합물 반도체 흡수층;상기 화합물 반도체 흡수층 상의 화합물 반도체 그래이딩(grading)층;상기 화합물 반도체 그래이딩층 상의 차아지 시트층(charge sheet layer);상기 차아지 시트층 상의 화합물 반도체 증폭층;상기 화합물 반도체 증폭층 상의 선택적 습식 식각층 구경 패턴;상기 화합물 반도체 증폭층 상의 유전막; 및 상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴 상의 피형 전극 메사 패턴을 포함하고,상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴의 측벽은 상기 유전막과 접하고,상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴의 상면은 상기 피형 전극 메사 패턴과 접하되, 상기 피형 전극 메사 패턴은 상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴의 상기 상면의 전면을 덮는 애벌런치 광다이오드
8 8
청구항 7에 있어서,상기 피형 전극 메사 패턴의 폭은 상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴의 폭보다 넓은 애벌런치 광다이오드
9 9
청구항 7에 있어서,상기 화합물 반도체 흡수층은 언도프트 인듐갈륨비소(InGaAs)를 포함하는 애벌런치 광다이오드
10 10
청구항 7에 있어서,상기 화합물 반도체 그래이딩층은 언도프트 인듐갈륨비소인(InGaAsP)을 포함하는 애벌런치 광다이오드
11 11
청구항 7에 있어서,상기 화합물 반도체 그래이딩층은 상기 화합물 반도체 흡수층으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 증가하는 애벌런치 광다이오드
12 12
청구항 7에 있어서,상기 차아지 시트층은 엔형 인듐인(InP)을 포함하는 애벌런치 광다이오드
13 13
청구항 7에 있어서,상기 화합물 반도체 증폭층은 언도프트 인듐인(InP)을 포함하는 애벌런치 광다이오드
14 14
청구항 7에 있어서,상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴은 피형 인듐알루미늄비소(InAlAs)를 포함하는 애벌런치 광다이오드
15 15
청구항 7에 있어서,상기 피형 전극 메사 패턴은 피형 인듐인(InP)을 포함하는 애벌런치 광다이오드
16 16
청구항 7에 있어서,상기 피형 전극 메사 패턴 상의 반사방지막;상기 피형 전극 메사 패턴에 연결되는 피형 금속 전극; 및상기 엔형 기판에 연결되는 엔형 금속 전극을 더 포함하되,상기 피형 전극 메사 패턴은 상기 피형 금속 전극의 개구(opening)에 의하여 노출되어 빛이 입사되는 광입사 영역을 포함하며, 상기 광입사 영역의 폭은 상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴의 폭보다 넓은 애벌런치 광다이오드
17 17
청구항 7에 있어서,상기 엔형 기판의 하부면 상의 반사방지막;상기 엔형 기판에 연결되는 엔형 금속 전극; 및상기 피형 전극 메사 패턴에 연결되는 피형 금속 전극을 더 포함하되,상기 피형 전극 메사 패턴은 상기 피형 금속 전극과 접촉하는 광반사 영역을 포함하며, 상기 광반사 영역의 폭은 상기 선택적 습식 식각층 구경 패턴의 폭보다 넓은 애벌런치 광다이오드
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4 US8999744 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 IT성장동력기술개발 FTTH 고도화 광부품 기술개발