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1
금속판들을 제공하고;
상기 금속판들 사이에 솔더볼과 고분자 수지를 포함하는 혼합물을 제공하고;
상기 솔더볼을 용융시켜 상기 금속판들 사이에 전도체 기둥을 형성하고;
상기 고분자 수지를 경화시켜 상기 전도체 기둥 사이에 절연체 기둥을 형성하고; 그리고
상기 금속판들을 제거하는 것을;
포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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2
제1항에 있어서,
상기 금속판들을 제공하는 것은:
제1 폴리머층이 형성된 제1 금속판을 제공하고; 그리고
제2 폴리머층이 형성되고, 상기 제1 금속판과 마주보는 제2 금속판을 제공하는 것을;
포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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3
제1항에 있어서,
상기 전도체 기둥을 형성하는 것은:
상기 솔더볼은 용융되나 상기 고분자 수지는 경화되지 않을 정도로 제1 온도로 상기 혼합물을 승온시키는 것을;
포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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4
제3항에 있어서,
상기 절연체 기둥을 형성하는 것은:
상기 고분자 수지가 경화되도록 상기 제1 온도에 비해 높은 제2 온도로 상기 고분자 수지의 온도를 높이거나 자외선을 조사하는 것을;
포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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5
제1항에 있어서,
상기 절연체 기둥을 수축시켜 상기 전도체 기둥을 상기 절연체 기둥의 표면 위로 돌출시키는 것을 더 포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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6
제1항에 있어서,
상기 전도체 기둥을 형성하는 것은:
상기 솔더볼은 용융되나 상기 고분자 수지는 경화되지 않을 정도로 제1 온도로 상기 혼합물을 승온시키고; 그리고
상기 금속판들의 거리를 증가시켜 상기 전도체 기둥의 허리가 오목한 절구 모양으로 형성시키는 것을;
포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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7
제6항에 있어서,
상기 절연체 기둥을 형성하는 것은:
상기 고분자 수지가 경화되도록 상기 제1 온도에 비해 높은 제2 온도로 상기 고분자 수지의 온도를 높이거나 자외선을 조사하고; 그리고
상기 절연체 기둥을 배흘림 기둥으로 형성하는 것을;
포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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8
제1항에 있어서,
상기 금속판들을 제거하는 것은:
상기 금속판들을 에천트로 제거하여 상기 절연체 기둥과 상기 전도체 기둥이 번갈아 배치된 커넥터를 형성하는 것을;
포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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9
제8항에 있어서,
상기 커넥터를 적어도 하나 이상 적층하여 적어도 하나 이상의 전도체 기둥을 상하 적층하고; 그리고
상기 상하 적층된 전도체 기둥을 용융시켜 하나의 전도체 기둥으로 형성하는 것을;
더 포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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10
제1항에 있어서,
상기 금속판들 사이에 상기 혼합물을 두 개 이상 제공하고; 그리고
상기 혼합물들 사이에 재배선층을 제공하는 것을;
더 포함하는 수직 커넥터의 제조방법
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11
경화된 고분자 수지를 포함하는, 적어도 하나 이상의 절연체 기둥과; 그리고
상기 고분자 수지의 경화 온도보다 낮은 온도에서 용융되는 적어도 하나 이상의 솔더 기둥을 포함하며, 상기 적어도 하나 이상의 절연체 기둥 사이에 배치된 전도체 기둥을;
포함하는 수직 커넥터
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12
제11항에 있어서,
상기 전도체 기둥은 상기 절연체 기둥의 표면 위로 돌출된 것을 포함하는 수직 커넥터
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13
제11항에 있어서,
상기 전도체 기둥은:
전기적 연결 통로를 제공하는 제1 전도체 기둥과; 그리고
열의 이동 경로를 제공하는 열 비아를;
포함하는 수직 커넥터
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14
삭제
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15
제11항에 있어서,
상기 전도체 기둥은:
상기 적어도 하나 이상의 솔더 기둥 사이에 배치되어, 상기 적어도 하나 이상의 솔더 기둥 사이의 전기적 연결 통로를 변경시키는 적어도 하나 이상의 재배선층을;
더 포함하는 수직 커넥터
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16
제11항에 있어서,
상기 전도체 기둥은 허리가 오목한 절구형 전도체 기둥을 포함하고, 상기 절연체 기둥은 상기 절구형 전도체 기둥 사이에 배치된 배흘림 절연체 기둥을 포함하는 수직 커넥터
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17
적어도 하나 이상의 반도체 패키지를 제공하고;
상기 적어도 하나 이상의 반도체 패키지 사이를 전기적으로 이어주는 전도체 기둥과, 상기 전도체 기둥 사이에 배치되어 상기 전도체 기둥을 고정시키는 절연체 기둥을 포함하는 수직 커넥터를 상기 적어도 하나 이상의 반도체 패키지에 실장하고; 그리고
상기 수직 커넥터를 리플로우시켜 상기 수직 커넥터를 상기 적어도 하나 이상의 반도체 패키지에 접합시키는 것을 포함하고,
상기 적어도 하나 이상의 반도체 패키지를 제공하는 것은:
팬 아웃 구조의 반도체 패키지를 적어도 하나 이상 제공하고;
상기 반도체 패키지의 팬 아웃 부분에 상기 수직 커넥터가 삽입되는 비아를 형성하고; 그리고
상기 비아에 삽입되는 수지 커넥터와 전기적으로 연결되는 재배선층을 형성하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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상하 적층되는 제1 및 제2 반도체 패키지와; 그리고
상기 제1 및 제2 반도체 패키지 사이에 배치되어 상기 제1 및 제2 패키지 상호간에 전기적 연결을 구현하는 전기적 연결체를 포함하고,
상기 전기적 연결체는:
경화된 고분자 수지를 포함하는 적어도 하나 이상의 절연체 기둥과; 그리고
상기 적어도 하나 이상의 절연체 기둥 사이에 배치되어 전기적 신호 전달 경로를 제공하는 솔더를 포함한 전도체 기둥을 갖는 수직 커넥터를 포함하고,
상기 제1 및 제2 반도체 패키지 중 적어도 어느 하나는 재배선층과 상기 재배선층을 일부 노출시키는 비아를 더 포함하고, 상기 수직 커넥터는 상기 비아에 삽입되어 상기 재배선층과 전기적으로 연결된 반도체 패키지
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