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기판 상에, 활성층과, 오믹층을 적층하고, 상기 오믹층 상에 제1 산화막층을 형성하는 단계;상기 제1 산화막층, 상기 오믹층 및 상기 활성층의 소정영역에 수직으로 메사영역을 형성하는 단계;상기 메사영역에 질화막을 증착하여 질화막층을 형성한 후, 상기 메사영역을 평탄화하는 단계;상기 제1 산화막층 상에 오믹 전극을 형성하는 단계;상기 오믹전극이 형성된 반도체 기판 상에 제2 산화막층을 형성한 후, 미세 게이트 레지스트 패턴을 형성하고, 제1 산화막층, 질화막층 및 제2 산화막층의 3층 절연층을 건식 식각하여 언더컷(under-cut) 형상의 프로파일을 갖는 미세 게이트 패턴을 형성하는 단계;상기 미세 게이트 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 감마형 게이트 전극의 헤드 패턴을 형성하여 게이트 리세스 영역을 형성하는 단계 및상기 게이트 리세스 영역이 형성된 반도체 기판 상에 내열성 금속을 증착하여 감마형 게이트 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 전계효과형 화합물반도체소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 전자공급층, 쇼트키층, 식각 정지층을 차례로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과형 화합물반도체소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 메사영역을 평탄화하는 단계는, 상기 메사영역에 SOG 박막을 도포하고 열처리하는 것을 특징으로 하는 전계효과형 화합물반도체소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 오믹 전극을 형성하는 단계는, 광리소그라피방법으로 오믹패턴을 형성하는 과정,상기 오믹패턴에 따라 질화막층과 산화막층을 차례로 건식 식각하는 과정 및상기 질화막층과 산화막층이 식각된 자리에 오믹전극을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과형 화합물반도체소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 미세 게이트 패턴을 형성하는 단계는, 상기 오믹전극이 형성된 반도체 기판 상에 제2 산화막층을 형성하는 과정, 제2 산화막층 상에 PMMA 박막을 도포하고 광리소그라피 방법으로 상기 미세 게이트 레지스트 패턴을 형성하는 과정, 상기 제2 산화막층을 건식식각 방법으로 언더컷(under-cut) 형상의 프로파일을 형성하는 과정 및식각정지층 상의 질화막층과 상기 제1 산화막층을 차례로 건식식각하여 미세 게이트 패턴을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과형 화합물반도체소자 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 게이트 리세스 영역을 형성하는 단계에서, 상기 게이트 리세스 영역이 형성된 반도체 기판 상에 광 리소그라피 방법으로 감마형 게이트 전극의 헤드 패턴을 형성하는 과정과상기 오믹층과 상기 식각정지층을 차례로 습식 식각하여 언더컷 형상의 프로파일을 형성하는 과정 을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과형 화합물반도체소자 제조 방법
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제5항에 있어서, 감마형 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 내열성 금속을 한층 이상 차례로 증착하는 과정과, 리프트 오프 방법으로 상기 PMMA 박막과 상기 미세 게이트 레지스트 패턴을 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과형 화합물반도체소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 감마형 게이트 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 감마형 게이트 전극이 형성된 반도체 기판 상에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방법으로 질화막층을 증착하여 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 전계효과형 화합물반도체소자 제조 방법
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