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제1 입력 가지 및 제2 입력 가지를 포함하는 입력 와이 분지;제1 출력 가지 및 제2 출력 가지를 포함하는 출력 와이 분지;상기 제1 입력 가지와 상기 제1 출력 가지 사이에 직렬로 연결된 제1 광변조기 및 제2 광변조기;상기 제2 입력 가지와 상기 제2 출력 가지를 연결하는 제3 광변조기를 포함하되,상기 제1 광변조기는 PIN 다이오드를 포함하고,상기 PIN 다이오드의 제1 광 변조기는, 기판 상에 배치된 진성 반도체부를 포함하는 광 변조부; 및상기 광 변조부의 양 측벽들에 각각 연결되고, 상기 광 변조부의 최상부면보다 낮은 상부면을 갖는 제1 리세스부 및 제2 리세스부를 포함하되,상기 제1 리세스부는 제1 도전형의 제1 반도체부를 포함하고, 상기 제2 리세스부는 제2 도전형의 제2 반도체부를 포함하되,상기 진성 반도체부는 상기 제1 도전형 도핑 영역 및 상기 제2 도전형 도핑 영역과 접하고, 상기 제2 광변조기 및 상기 제3 광변조기는 각각 PN 다이오드를 포함하는 광전 소자
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제1 항에 있어서,동작시에, 상기 제1 반도체부 및 상기 제2 반도체부 사이에 순방향 DC 전압이 작용하는 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 제2 광변조기와 상기 제3 광변조기는 동일한 구성을 갖는 광전 소자
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제4 항에 있어서,상기 제2 광 변조기는, 기판 상에 배치된 제1 도전형의 제1 반도체부, 제2 도전형의 제2 반도체부 및, 상기 제1 반도체부와 상기 제2 반도체부의 접합에 의해 형성된 공핍층을 포함하는 광 변조부; 및 상기 광 변조부의 제1 측벽 및 제2 측벽에 각각 연결되고, 상기 광 변조부의 상부면보다 낮은 상부면을 갖는 제1 리세스부 및 제2 리세스부를 포함하는 광전 소자
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제5 항에 있어서,상기 제1 반도체부 및 상기 제2 반도체부 사이에 역 바이어스 전압이 작용하는 광전 소자
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제5 항에 있어서,상기 제1 반도체부와 상기 제2 반도체부의 접합면은 상기 기판의 상부면과 비평행한 광전 소자
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제7 항에 있어서,상기 접합면은 상기 기판에 수직하고,상기 접합면과 상기 제1 측벽 사이의 거리는 상기 접합면과 상기 제2 측벽 사이의 거리와 동일한 광전 소자
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제5 항에 있어서,상기 제1 반도체부 및 상기 제2 반도체부는 상기 기판 상에 차례로 적층되고, 상기 제1 반도체부와 상기 제2 반도체부의 접합면은 상기 기판과 평행한 광전 소자
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제9 항에 있어서,상기 접합면 아래 위의 상기 제1 반도체부와 상기 제2 반도체부는 서로 동일한 두께를 갖는 광전소자
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제5 항에 있어서,상기 광 변조부는,상기 제2 반도체부를 사이에 두고, 상기 제1 반도체부와 이격된 제1 도전형의 제3 반도체부; 및상기 제3 반도체부와 상기 제2 반도체부의 접합에 의해 형성된 추가 공핍층을 더 포함하는 광전 소자
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제11 항에 있어서,상기 제1 반도체부와 상기 제2 반도체부의 제1 접합면 및 상기 제2 반도체부와 상기 제3 반도체부의 제2 접합면은 상기 기판의 상부면과 비평행한 광전 소자
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제12 항에 있어서,상기 제1 접합면 및 상기 제2 접합면은 상기 기판에 수직하고,상기 제1 접합면 및 제2 접합면 중에서 어느 하나의 접합면에 역바이어스 전압이 작용하고,상기 어느 하나의 접합면과 상기 제1 측벽 사이의 거리는 상기 어느 하나의 접합면과 상기 제2 측벽 사이의 거리와 동일한 광전 소자
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제11 항에 있어서,상기 제1 반도체부, 상기 제2 반도체부 및 상기 제3 반도체부는 상기 기판 상에 차례로 적층되고, 상기 제1 반도체부와 상기 제2 반도체부의 제1 접합면 및 상기 제2 반도체부와 상기 제3 반도체부의 제2 접합면은 상기 기판과 평행한 광전 소자
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제14 항에 있어서,상기 제1 반도체부의 두께는 상기 제2 반도체부 및 상기 제3 반도체부 각각의 두께의 합과 동일한 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 입력 와이 분지에서 나누어져, 상기 제1 입력 가지에서 상기 제1 출력 가지로 진행하는 제1 광신호 및, 상기 제2 입력 가지에서 상기 제2 출력 가지로 진행하는 제2 광신호를 포함하되,동작시에, 상기 제1 광변조기는 상기 제1 광신호의 위상을 90도 변조시키는 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 광 변조기의 상기 광 변조부와 상기 제2 광 변조기의 상기 광 변조부는 직렬로 연결된 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1, 2 및 3 광 변조기 각각은, 기판 상에 배치된 광 변조부; 상기 광 변조부의 양 측벽에 각각 연결되고, 상기 광변조부의 상부면보다 낮은 상부면을 갖는 한 쌍의 리세스부들; 및상기 광 변조부 및 상기 기판 사이에 배치된 클래딩층을 포함하되,상기 광 변조부 내의 캐리어의 농도에 의해 상기 광 변조부의 굴절률이 변화하는 광전 소자
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제1 입력 가지 및 제2 입력 가지를 포함하는 입력 와이 분지;제1 출력 가지 및 제2 출력 가지를 포함하는 출력 와이 분지;상기 제1 입력 가지와 상기 제1 출력 가지 사이에 직렬로 연결된 제1 광변조기 및 제2 광변조기;상기 제2 입력 가지와 상기 제2 출력 가지를 연결하는 제3 광변조기를 포함하되,상기 제1 광 변조기는 입력된 광 신호의 위상을 90도 변조하고, 상기 제2 광 변조기 및 제3 광 변조기는 입력된 광 신호의 위상을 각각 에이씨(AC) 변조하는 광전 소자
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제19 항에 있어서,상기 제2 광 변조기 및 상기 제3 광 변조기는 동일한 구성을 갖는 광전 소자
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