| 1 |
1
광신호가 전송되는 광도파로를 포함하는 광도파로부; 및상기 광도파로부에 결합되고 광전 소자 및 반도체 칩을 구비한 반도체 칩부가 표면 실장된 인쇄회로보드(Printed Circuit Board:PCB) 기판으로 상기 광도파로부를 고정시키며, 하부로 철부(凸部) 또는 요부(凹部) 구조의 제1 결합부가 형성되어 있는 커넥터부;를 포함하고,상기 커넥터부의 제1 결합부는 상기 PCB 기판 상면으로 형성된 요부 또는 철부 구조의 제2 결합부에 결합되는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 광도파로부에는 상기 반도체 칩의 전기적 신호를 전달할 수 있는 제1 전기 배선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서,상기 제1 전기 배선은 상기 커넥터부의 제1 결합부로 연장되어 있고,상기 제1 전기 배선은 상기 커넥터부의 제1 결합부, 및 상기 PCB 기판 상면으로 형성되고 상기 반도체 칩과 상기 PCB 기판 상면의 제2 결합부 사이를 연결하는 제2 전기 배선을 통해 상기 반도체 칩으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 제1 결합부 및 제2 결합부의 결합에 의해 상기 광도파로부가 상기 PCB 기판에 고정되고 상기 광도파로가 상기 광전 소자에 수직 및 수평 광정렬되는 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서,상기 광도파로는 금속광도파로 또는 코어-클래드 구조의 광도파로인 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서,상기 광도파로는 플렉시블(flexible)한 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서,상기 광도파로부는 광신호가 전달되는 금속광도파로 및 상기 금속광도파로를 둘러싸는 고분자 광학재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 8 |
8
제7 항에 있어서,상기 금속광도파로는 두께가 5 내지 200 ㎚ 이고, 폭이 2 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,상기 광도파로는 코어-클래드 구조의 광도파로이고,상기 코어-클래드 구조의 광도파로는 할로겐 원소 또는 중수소를 포함하는 고분자 광학 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 10 |
10
제1 항에 있어서,상기 PCB 기판 상면으로 형성되고 상기 반도체 칩부를 상기 PCB 기판으로 실장하여 고정하는 칩 고정대에 상기 제2 결합부가 형성된 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서,상기 커넥터부 및 칩 고정대의 제1 및 제2 결합부는 결합 후 탈착 방지를 위해 스냅 파스너(snap fastener) 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 광전배선 커넥터 모듈
|
| 12 |
12
PCB 기판;상기 PCB 기판으로 실장되는 광전 소자 및 반도체 칩을 구비한 반도체 칩부; 및광신호가 전송되는 광도파로를 포함하는 광도파로부, 및 상기 광도파로부에 결합되고 상기 PCB 기판에 상기 광도파로부를 고정시키며, 하부로 철부(凸部) 또는 요부(凹部) 구조의 제1 결합부가 형성되어 있는 커넥터부를 구비한 광전배선 커넥터 모듈;을 포함하고,상기 커넥터부의 제1 결합부는 상기 PCB 기판 상면으로 형성된 요부 또는 철부 구조의 제2 결합부에 결합되며 상기 반도체 칩부의 광 및 전기 신호를 동시에 전달하는 광전 통신 모듈
|
| 13 |
13
제12 항에 있어서,상기 광전 소자는 발광 소자 또는 수광 소자이고,상기 반도체 칩부는 상기 광전 소자가 반도체 칩과 함께 집적되어 구성되거나 또는 상기 광전 소자가 개별적으로 제작되어 상기 반도체 칩과 결합되어 구성된 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 14 |
14
제12 항에 있어서,상기 반도체 칩부는 상기 광전 소자, 광소자 드라이브, 증폭기, 마이크로 프로세스, 마이크로 프로세서 칩셋, 메모리 및 네트워크 지원 칩셋을 포함한 반도체 통신 소자군에서 선택적으로 선별된 각각의 소자들로 구성되고,상기 반도체 칩부는 상기 반도체 통신 소자군에서 선별된 각각의 소자들이 단위 칩의 집합 형태로 구성되거나 또는 상기 각각의 소자들을 함께 집적된 단일 칩셋 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 15 |
15
제12 항에 있어서,상기 광전 통신 모듈은 상기 PCB 기판 상면으로 형성되고 상기 반도체 칩부를 상기 PCB 기판으로 실장하여 고정하며, 상기 제2 결합부가 형성되어 있는 칩 고정대를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 16 |
16
제15 항에 있어서,상기 칩 고정대는 고분자로 형성된 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 17 |
17
제15 항에 있어서,상기 커넥터부 및 칩 고정대의 제1 및 제2 결합부는 결합 후 탈착 방지를 위해 스냅 파스너(snap fastener) 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 18 |
18
제12 항에 있어서,상기 광도파로부 또는 상기 PCB 기판에는 상기 반도체 칩부의 전기적 신호를 전달할 수 있는 제1 전기 배선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 19 |
19
제18 항에 있어서,상기 제1 전기 배선은 상기 커넥터부의 제1 결합부로 연장되어 있고,상기 제1 전기 배선은 상기 커넥터부의 제1 결합부, 및 상기 PCB 기판 상부로 형성되고 상기 반도체 칩과 상기 PCB 기판 상면의 제2 결합부 사이를 연결하는 제2 전기 배선을 통해 상기 반도체 칩으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 20 |
20
제18 항에 있어서,상기 광전 통신 모듈은 상기 PCB 기판 상면으로 형성되고 상기 반도체 칩부를 상기 PCB 기판으로 실장하여 고정하며, 상기 제2 결합부가 형성된 칩 고정대를 포함하고,상기 제2 전기 배선은 상기 칩 고정대 내부로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 21 |
21
제20 항에 있어서,상기 제2 전기 배선은 상기 칩 고정대 외부로 연장되어 상기 제2 전기 배선으로 외부 신호가 인가될 수 있는 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 22 |
22
제12 항에 있어서,상기 제1 결합부 및 제2 결합부의 결합에 의해 상기 광도파로부가 상기 PCB 기판에 고정되고 상기 광도파로가 상기 광전 소자에 수직 및 수평 광정렬되는 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 23 |
23
제12 항, 제18 항, 및 제19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광도파로는 금속광도파로 또는 코어-클래드 구조의 광도파로인 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 24 |
24
제23 항에 있어서,상기 광도파로는 플렉시블(flexible)한 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 25 |
25
제23 항에 있어서,상기 광도파로부는 광신호가 전달되는 금속광도파로 및 상기 금속광도파로를 둘러싸는 고분자 광학재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 26 |
26
제25 항에 있어서,상기 금속광도파로는 두께가 5 내지 200 ㎚ 이고, 폭이 2 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
| 27 |
27
제23 항에 있어서,상기 광도파로는 코어-클래드 구조의 광도파로이고,상기 코어-클래드 구조의 광도파로는 할로겐 원소 또는 중수소를 포함하는 고분자 광학 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 광전 통신 모듈
|
