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(a) 제1 웨이퍼의 소정 깊이에 매립산화막층을 형성한 후 상기 제1 웨이퍼 상에 산화막을 형성하는 단계;(b) 상기 매립산화막층보다 깊은 깊이의 상기 제1 웨이퍼에 수소매립층을 형성하는 단계;(c) 상기 제1 산화막 상에 제2 웨이퍼를 접합시키는 단계;(d) 상기 매립산화막층과 상기 수소매립층 사이의 제1 웨이퍼가 노출되도록 상기 수소매립층 하부의 제1 웨이퍼를 제거하는 단계;(e) 상기 매립산화막층과 상기 산화막 사이의 제1 웨이퍼가 노출되도록 상기 단계(d)에서 노출된 상기 제1 웨이퍼 및 상기 매립산화막층을 순차적으로 제거하는 단계; 및(f) 상기 단계(e)에서 노출된 상기 제1 웨이퍼의 소정 두께를 제거하는 단계를 포함하는 SOI 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)는,(a-1) 상기 제1 웨이퍼의 표면에 산소이온을 주입하여 상기 제1 웨이퍼의 소정 깊이에 상기 매립산화막층을 형성하는 단계; 및(a-2) 상기 매립산화막층의 계면이 균일해짐과 아울러 거친 표면의 결함이 제거되도록 열처리 및 산화공정을 실시하여 상기 제1 웨이퍼 상에 상기 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 산소이온은 30 내지 200KeV 에너지범위에서 1 내지 5×1017~18 atoms/㎠로 주입하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 열처리는 1300 내지 1500℃의 온도범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 수소매립층은 상기 매립산화막층보다 10 내지 1000nm 깊게 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서, 상기 제1 웨이퍼와 접합되는 상기 제2 웨이퍼 상에 5 내지 1000nm 두께범위의 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(d)에서, 상기 수소매립층 하부의 제1 웨이퍼는 300 내지 600℃ 온도범위의 질소 또는 산소 분위기에서 열처리하는 스마트 컷 방법을 실시하여 제거되는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(e)에서, 상기 단계(d)에서 노출된 상기 제1 웨이퍼는 습식 또는 건식 식각법에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(e)에서, 상기 매립산화막층은 습식 식각법에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(f)에서, 상기 단계(e)에서 노출된 상기 제1 웨이퍼는 그 표면층의 결함저감 및 박막화하기 위하여 산화/식각, 화학기계적 연마(CMP) 또는 수소 열처리 방법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
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