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CIGS 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015087836
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIGS 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 그의 방법은 다수개의 돌기들이 노출되는 버퍼층을 형성한다. 이후, 버퍼층의 다수개의 돌기를 따라 울퉁불퉁하게 굴곡되는 상부표면을 갖는 윈도우 전극층을 형성한다. 따라서, 윈도우 전극층의 상부표면을 거칠게 가공하기 위한 별도의 가공처리를 요구하지 않기 때문에 생산성을 향상할 수 있다. 버퍼층, 돌기, 난반사, 윈도우(window), 전극
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0749 (2012.01.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020090125467 (2009.12.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1358300-0000 (2014.01.27)
공개번호/일자 10-2011-0010539 (2011.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20140210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090067824   |   2009.07.24
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박래만 대한민국 대전광역시 유성구
2 주철원 대한민국 대전광역시 유성구
3 조대형 대한민국 서울특별시 영등포구
4 정용덕 대한민국 대전광역시 유성구
5 배성범 대한민국 대전광역시 유성구
6 한원석 대한민국 대전광역시 유성구
7 이규석 대한민국 대전광역시 서구
8 김제하 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 제이엠 경상북도 영천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0778243-82
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0050500-11
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0188453-63
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0188455-54
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0507068-84
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0782178-89
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0782177-33
8 등록결정서
Decision to grant
2014.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0048394-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 전극층을 형성하는 단계;상기 하부 전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에서 다수의 돌기들이 노출되는 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층의 상기 다수의 돌기들을 따라 울퉁불퉁하게 굴곡되는 상부표면을 갖는 윈도우 전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 버퍼층은 염기성 용액을 용매로 사용하는 화학적 용액성장법으로 형성되는 CIGS 태양전지의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 염기성 용액은 2% 내지 5%의 농도를 갖는 암모니아수를 포함하는 CIGS 태양전지의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 화학적 용액성장법은 상기 염기성 용액에 용해되는 반응용액을 사용하여 카드뮴 설파이드를 상기 버퍼층으로 형성하는 CIGS 태양전지의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서상기 반응 용액은 싸이오요소와 카드뮴 설페이트의 혼합용액을 포함하는 CIGS 태양전지의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서상기 화학 용액성장법은 50℃ 내지 80℃온도에서 수행되는 CIGS 태양전지의 제조방법
7 7
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05450294 JP 일본 FAMILY
2 JP23029633 JP 일본 FAMILY
3 US20110017289 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 JP2011029633 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5450294 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2011017289 US 미국 DOCDBFAMILY
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