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CIGS 박막태양전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015012204
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요약 본 발명은 CIGS 박막태양전지를 제조함에 있어서, Mo 배면전극 위에 원하는 두께와 바람직한 결정 배향을 갖는 MoSe2층을 제조할 수 있는 기술과, 상기 MoSe2층 위에 광흡수층, 버퍼층, 투명전극 및 전면전극을 적층하여 CIGS 박막태양전지를 제조하는 기술에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120134512 (2012.11.26)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1410073-0000 (2014.06.13)
공개번호/일자 10-2014-0068306 (2014.06.09) 문서열기
공고번호/일자 (20140626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김우경 대한민국 대구 수성구
2 구자석 대한민국 경북 의성군
3 이수빈 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 좋은기계 주식회사 경상남도 김해시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0974785-41
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0869195-64
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0121219-27
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0248001-71
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0247999-21
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
8 등록결정서
Decision to grant
2014.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0394966-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
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번호 청구항
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CIGS[CuIn1-xGax(SySe1-y)2), 여기서 0≤x≤1, 0≤y≤1] 박막태양전지를 제조하는 방법에 있어서,기판 위에 Mo 배면전극을 형성하는 단계(Ⅰ);상기 Mo 배면전극 위에 MoSe2층을 형성하는 단계(Ⅱ);상기 MoSe2층 위에 CIGS 광흡수층을 형성하는 단계(Ⅲ);상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계(Ⅳ); 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계(Ⅴ); 및상기 버퍼층 위에 전면전극(Ⅵ)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,상기 MoSe2층을 형성하는 단계(Ⅱ)는, Mo 배면전극에 Se 증기를 고온에서 반응시켜 MoSe2층이 Mo 전극에 대하여 수직 방향으로 성장하도록 하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막태양전지의 제조 방법
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제6항에서, 내부 천정면에 Se(또는 Se화합물)이 코팅되어 있는 샘플트레이의 내부에 Mo 배면전극을 놓고, 상기 샘플트레이를 가열하여 상기 샘플트레이의 내부 천정면에 코팅된 Se이 증기화되어 Mo 배면전극과 반응함으로써 MoSe2층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막태양전지의 제조 방법
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제6항에서, 샘플트레이의 내부에 Mo 배면전극을 놓고, Se 증기 또는 H2Se 증기를 주입하여 Mo 배면전극과 반응시킴으로써 MoSe2층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막태양전지의 제조 방법
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제7항 또는 제8항에서, 상기 반응온도는 400 ~ 600℃인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막태양전지의 제조 방법
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제6항에서, 상기 MoSe2층은 반응 온도 또는 반응 시간을 조절함으로써 두께를 제어하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막태양전지의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 영남대학교 LINC 사업단 산학협력 선도대학(LINC) 육성사업 Cu(InGa)Se2 박막태양전기 광흡수층 및 Mo전극간의 계면 특성 연구