반도체 기판(1)상에서 메사패턴(2)을 형성하는 공정과, 상기 메사패턴(2)이 형성된 반도체 기판(1)상에 식각 중지층(3), n형 클래드층(4), 활성층(5), P형 클래드층(6) 및 P형 콘택트층(7)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 P형 콘택트층(7)상에 소정 패턴의 포토레지스트를 형성한 다음 건식식각 마스크용 절연막(8)을 형성하여 레이저 발진부분(9)을 정의하는 공정과, 상기 절연막(8)을 마스크로 사용하여 식각 중지층(3)의 상면까지 식각하여 상기 레이저 발진부분(9)을 형성하는 공정과, 상기 레이저 발진부분(9)의 P형 콘택트층(7)의 상부에 P형 전극(10)을 형성하고 아울러 이 레이저 발진부분(9)과 대응하는 상기 기판(1)의 하부에 N형 전극(11)을 형성하는 공정과, 상기 메사패턴(2)의 경사진 부분과 상하부의 일부분상에 반사경(12)을 형성하는 공정을 포함하는 메사패턴이 있는 기판을 이용한 표면방출 반도체 레이저 다이오드 소자의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 메사패턴(2)의 경사진부분이 하부와 약 55o의 기울기를 갖도록 경사지게 하는 메사패턴이 있는 기판을 이용한 표면방출 반도체 레이저 다이오드 소자의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 절연막(8)은 SiO2막 또는 Si3N4막으로 되어 있는 메사패턴이 있는 기판을 이용한 표면방출 반도체 레이저 다이오드 소자의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 반사경(12)은 금속막 또는 유전체막인 메사패턴이 있는 기판을 이용한 표면방출 반도체 레이저 다이오드 소자의 제조방법