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갈륨비소금속반도체전계효과트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015088237
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/452(2013.01)
출원번호/일자 1019900021813 (1990.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0076069-0000 (1994.08.08)
공개번호/일자 10-1992-0013607 (1992.07.29) 문서열기
공고번호/일자 1019940004262 (19940519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.12.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경호 대한민국 대전시중구
2 강진영 대한민국 대전시유성구
3 박철순 대한민국 대전시유성구
4 양전욱 대한민국 대전시대덕구
5 이진희 대한민국 대전시대덕구
6 김도진 대한민국 대전직할시중구
7 맹성재 대한민국 대전시동구
8 심규환 대한민국 대전시중구
9 최영규 대한민국 대전시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128775-45
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128774-00
3 특허출원서
Patent Application		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128773-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1993.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065761-99
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1993.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128776-91
6 의견서
Written Opinion		 1994.01.22 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128777-36
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.01.22 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128778-82
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065762-34
9 등록사정서
Decision to grant		 1994.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065763-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 갈륨비소 기판(1) 위의 접합부에 규소박막(2)을 스퍼터 증착하는 단계와, 이미지 반전기법의 포토리소그라피를 통한 에칭으로 오옴전극 접촉부위의 규소박막(2a)만 잔류시키는 단계와, 채널용 패턴을 사용하여 포토리소그라피한 후 채널이온 주입부위에 소정량의 규소이온을 주입하여 전도채널을 형성하는 단계와, 기판전체를 규소질화막(6)으로 도포하고 열처리에 의해 주입된 규소이온을 활성화함과 동시에 증차된 규소박막(2a)을 기판내부로 확산시켜서 규소가 고용율까지 고농도로 도우핑된 접합부위를 형성하는 단계와, 상기 규소질화막(6)을 제거한 후 금게르마늄/니켈/금을 증착한 후 리프트 오프로 오옴전극(8)을 형성하는 단계와, 게이트용 마스크를 사용한 포토리소그라피로 티타늄/백금/금을 차례로 증착한 후 게이트(9)로 리프트 오프시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 갈륨비소 금속반도체 전계효과 트랜지스터의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP06045361 JP 일본 FAMILY
2 JP07066925 JP 일본 FAMILY
3 KR1019930009552 KR 대한민국 FAMILY
4 US05296394 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2032107 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6045361 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP7066925 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH0645361 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JPH0766925 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US5296394 US 미국 DOCDBFAMILY
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