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절연체 바나듐 산화막을 채널 영역으로 이용한 전계 효과트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015088288
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 전계 효과 트랜지스터는, 채널로서 사용되는 절연체 VO2 박막과, 미세 형상화한 VO2 박막 위에 배치되되, 두 전극 간 채널 길이만큼 격리되게 배치한 소스 전극 및 드레인 전극과, 절연체 VO2 박막 위에 배치되는 유전체막과, 그리고 유전체막에 일정 전압을 인가할 수 있는 게이트 전극으로 구성된다.
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030035556 (2003.06.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0467330-0000 (2005.01.12)
공개번호/일자 10-2004-0104773 (2004.12.13) 문서열기
공고번호/일자 (20050124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.06.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현탁 대한민국 대전광역시유성구
2 강광용 대한민국 대전광역시유성구
3 윤두협 대한민국 대전광역시유성구
4 채병규 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2003-0198873-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0073515-85
4 등록결정서
Decision to grant		 2004.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0530903-22
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

채널 영역으로 사용되는 절연체 VO2 박막;

상기 절연체 VO2 박막 위에 배치되되, 상호 채널 길이만큼 격리되도록 배치된 소스 전극 및 드레인 전극;

상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 절연체 VO2 박막 위에 배치되는 유전체막; 및

상기 유전체막에 일정 전압을 인가할 수 있는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터

2 2

제1항에 있어서,

상기 VO2 박막은 실리콘 기판, 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기판 또는 사파이어 기판 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터

3 3

제1항에 있어서,

상기 유전체막은 Ba1-xSrxTiO3(0??x??0

4 4

제1항에 있어서,

상기 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극은 Au/Cr 전극인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터

5 5

기판 위에 VO2 박막을 형성하는 단계;

상기 VO2 박막의 양쪽면과 상부 일부를 덮는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;

상기 기판, 소스 전극, 드레인 전극 및 VO2 박막 위에 유전체막을 형성하는 단계;

상기 유전체막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법

6 6

제5항에 있어서,

상기 기판으로는 실리콘 단결정 기판, 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기판 또는 사파이어 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법

7 7

제5항에 있어서,

상기 VO2 박막을 수 ㎛2의 면적을 갖도록 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법

8 8

제7항에 있어서,

상기 패터닝은 포토리소그라피 및 RF-이온 밀링 식각법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법

9 9

제5항에 있어서,

상기 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극은 리프트-오프 공정을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법

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1 US06933553 US 미국 FAMILY
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1 US2004245582 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6933553 US 미국 DOCDBFAMILY
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